公开(公告)号：CN100405549C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480001409.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  大岛康弘 ,  吉井直树 ,  重冈隆 ,  川村刚平 ,  福田幸夫 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。

公开(公告)号：CN1836317A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023355.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  西泽贤一 ,  寺井康浩 ,  浅野明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。

公开(公告)号：CN1706034A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001409.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  大岛康弘 ,  吉井直树 ,  重冈隆 ,  川村刚平 ,  福田幸夫 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。

公开(公告)号：CN101622699B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880006449.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  安田圣治 ,  井口敦智 ,  松冈孝明 ,  川村刚平 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。

公开(公告)号：CN101606227B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200880004230.8

申请日：2008-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  野沢俊久 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于供给到处理容器中的处理气体中。

公开(公告)号：CN100527365C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200480010613.8

申请日：2004-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  浅野明 ,  寺井康浩 ,  西泽贤一

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

Abstract: 在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭缝例如以圆偏振波方式使微波向处理气氛发射从而使原料气体等离子化，产生以均方速度进行定义的电子温度为3eV以下且电子密度为5×1011个/cm3以上的等离子而形成加氟碳膜。在这种场合，最好是将作业压力设定为19.95Pa以下进行作业。通过采用这样的方案，在利用等离子形成加氟碳膜时，能够使原料气体例如C5F8气体的分子链适度分解而得到CF链较长的链结构，由此能够形成介电常数低且泄漏电流小的优异的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1809915A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200480010613.8

申请日：2004-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  浅野明 ,  寺井康浩 ,  西泽贤一

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

Abstract: 在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭缝例如以圆偏振波方式使微波向处理气氛发射从而使原料气体等离子化，产生以均方速度进行定义的电子温度为3eV以下且电子密度为5×1011个/cm3以上的等离子而形成加氟碳膜。在这种场合，最好是将作业压力设定为19.95Pa以下进行作业。通过采用这样的方案，在利用等离子形成加氟碳膜时，能够使原料气体例如C5F8气体的分子链适度分解而得到CF链较长的链结构，由此能够形成介电常数低且泄漏电流小的优异的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101622699A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006449.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  安田圣治 ,  井口敦智 ,  松冈孝明 ,  川村刚平 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。

公开(公告)号：CN101606227A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004230.8

申请日：2008-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  野沢俊久 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于供给到处理容器中的处理气体中。

公开(公告)号：CN101556948A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910135266.6

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/314 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。