公开(公告)号：CN101032005A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580028448.3

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大阳日酸株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嵨隆季 ,  伊崎隆一郎 ,  神力学

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10－9体积比以下的C5F8气体，形成添加氟的碳膜，得到热稳定性优异的添加氟的碳膜。在C5F8气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C5F8气体等离子体化并形成添加氟的碳膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C5F8气体通入精制器(2)，去除C5F8气体的水分，例如将水分含量为20×10－9体积比左右的C5F8气体导入成膜处理部(3)，形成添加氟的碳膜。这样，进入形成的添加氟的碳膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。

公开(公告)号：CN1836317A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023355.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  西泽贤一 ,  寺井康浩 ,  浅野明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。

公开(公告)号：CN100514574C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200480023355.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  西泽贤一 ,  寺井康浩 ,  浅野明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。

公开(公告)号：CN1910746A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580002360.4

申请日：2005-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嶋隆季 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。

公开(公告)号：CN100533684C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200580028448.3

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大阳日酸株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嵨隆季 ,  伊崎隆一郎 ,  神力学

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10-9体积比以下的C5F8气体，形成碳氟化合物膜，得到热稳定性优异的碳氟化合物膜。在C5F8气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C5F8气体等离子体化并形成碳氟化合物膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C5F8气体通入精制器(2)，去除C5F8气体的水分，例如将水分含量为20×10-9体积比左右的C5F8气体导入成膜处理部(3)，形成碳氟化合物膜。这样，进入形成的碳氟化合物膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。

公开(公告)号：CN100527365C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200480010613.8

申请日：2004-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  浅野明 ,  寺井康浩 ,  西泽贤一

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

Abstract: 在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭缝例如以圆偏振波方式使微波向处理气氛发射从而使原料气体等离子化，产生以均方速度进行定义的电子温度为3eV以下且电子密度为5×1011个/cm3以上的等离子而形成加氟碳膜。在这种场合，最好是将作业压力设定为19.95Pa以下进行作业。通过采用这样的方案，在利用等离子形成加氟碳膜时，能够使原料气体例如C5F8气体的分子链适度分解而得到CF链较长的链结构，由此能够形成介电常数低且泄漏电流小的优异的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN100433294C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200580002360.4

申请日：2005-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嶋隆季 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。

公开(公告)号：CN1809915A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200480010613.8

申请日：2004-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  浅野明 ,  寺井康浩 ,  西泽贤一

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

Abstract: 在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭缝例如以圆偏振波方式使微波向处理气氛发射从而使原料气体等离子化，产生以均方速度进行定义的电子温度为3eV以下且电子密度为5×1011个/cm3以上的等离子而形成加氟碳膜。在这种场合，最好是将作业压力设定为19.95Pa以下进行作业。通过采用这样的方案，在利用等离子形成加氟碳膜时，能够使原料气体例如C5F8气体的分子链适度分解而得到CF链较长的链结构，由此能够形成介电常数低且泄漏电流小的优异的层间绝缘膜。