公开(公告)号：CN1836317A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023355.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  西泽贤一 ,  寺井康浩 ,  浅野明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。

公开(公告)号：CN100527365C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200480010613.8

申请日：2004-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  浅野明 ,  寺井康浩 ,  西泽贤一

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

Abstract: 在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭缝例如以圆偏振波方式使微波向处理气氛发射从而使原料气体等离子化，产生以均方速度进行定义的电子温度为3eV以下且电子密度为5×1011个/cm3以上的等离子而形成加氟碳膜。在这种场合，最好是将作业压力设定为19.95Pa以下进行作业。通过采用这样的方案，在利用等离子形成加氟碳膜时，能够使原料气体例如C5F8气体的分子链适度分解而得到CF链较长的链结构，由此能够形成介电常数低且泄漏电流小的优异的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1809915A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200480010613.8

申请日：2004-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  浅野明 ,  寺井康浩 ,  西泽贤一

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

Abstract: 在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭缝例如以圆偏振波方式使微波向处理气氛发射从而使原料气体等离子化，产生以均方速度进行定义的电子温度为3eV以下且电子密度为5×1011个/cm3以上的等离子而形成加氟碳膜。在这种场合，最好是将作业压力设定为19.95Pa以下进行作业。通过采用这样的方案，在利用等离子形成加氟碳膜时，能够使原料气体例如C5F8气体的分子链适度分解而得到CF链较长的链结构，由此能够形成介电常数低且泄漏电流小的优异的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN100514574C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200480023355.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  西泽贤一 ,  寺井康浩 ,  浅野明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。