公开(公告)号：CN110364433A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910231945.7

申请日：2019-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽根秀臣 ,  大下健太郎 ,  大槻志门 ,  小川淳 ,  吹上纪明 ,  池川宽晃 ,  小林保男 ,  小山峻史

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/67 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。

公开(公告)号：CN100501939C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580034009.3

申请日：2005-10-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  太田与洋 ,  康松润 ,  泽田郁夫

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。

公开(公告)号：CN1836317A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023355.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  西泽贤一 ,  寺井康浩 ,  浅野明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。

公开(公告)号：CN100508134C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200480034324.1

申请日：2004-11-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/26 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

Abstract: 从天线(7)的平面天线部件通过介质板(6)向处理容器(1)内放射微波，这样，可使从气体供给部件(3)供给至处理容器(1)内的C5F8气体等离子体化(活性化)，在半导体晶片(W)上形成一定厚度的添加氟的碳膜。当在每块晶片上进行成膜工序时，进行清洁工序和预涂层工序。在清洁工序中，利用氧气和氢气的等离子体来清洁处理容器内。在预涂层工序中，使C5F8气体等离子体化，形成比成膜工序形成的添加氟的碳膜薄的添加氟的碳的预涂层膜。

公开(公告)号：CN1943021A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011029.9

申请日：2005-05-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/3146 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及半导体装置等电子装置用基板及其处理方法。在该基板的处理方法中，首先，准备电子装置用基板，在该基板的表面上形成由加氟碳(CF)构成的绝缘膜(I)。接着，通过使在例如氪(Kr)气的等离子体中生成的活性种(Kr+)与绝缘膜(I)的表面碰撞，使在绝缘膜(I)的表面上露出的氟(F)原子从该绝缘膜脱离。此时，至少从形成绝缘膜的工序之后直到使氟原子脱离的工序结束的期间，维持基板不与水分接触。

公开(公告)号：CN1883037A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200480034324.1

申请日：2004-11-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/26 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

Abstract: 从天线(7)的平面天线部件通过介质板(6)向处理容器(1)内放射微波，这样，可使从气体供给部件(3)供给至处理容器(1)内的C5F8气体等离子体化(活性化)，在半导体晶片(W)上形成一定厚度的添加氟的碳膜。当在每块晶片上进行成膜工序时，进行清洁工序和预涂层工序。在清洁工序中，利用氧气和氢气的等离子体来清洁处理容器内。在预涂层工序中，使C5F8气体等离子体化，形成比成膜工序形成的添加氟的碳膜薄的添加氟的碳的预涂层膜。

公开(公告)号：CN1868044A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN101606227B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200880004230.8

申请日：2008-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  野沢俊久 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于供给到处理容器中的处理气体中。

公开(公告)号：CN100533684C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200580028448.3

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大阳日酸株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嵨隆季 ,  伊崎隆一郎 ,  神力学

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10-9体积比以下的C5F8气体，形成碳氟化合物膜，得到热稳定性优异的碳氟化合物膜。在C5F8气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C5F8气体等离子体化并形成碳氟化合物膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C5F8气体通入精制器(2)，去除C5F8气体的水分，例如将水分含量为20×10-9体积比左右的C5F8气体导入成膜处理部(3)，形成碳氟化合物膜。这样，进入形成的碳氟化合物膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。

公开(公告)号：CN100527365C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200480010613.8

申请日：2004-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  浅野明 ,  寺井康浩 ,  西泽贤一

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

Abstract: 在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭缝例如以圆偏振波方式使微波向处理气氛发射从而使原料气体等离子化，产生以均方速度进行定义的电子温度为3eV以下且电子密度为5×1011个/cm3以上的等离子而形成加氟碳膜。在这种场合，最好是将作业压力设定为19.95Pa以下进行作业。通过采用这样的方案，在利用等离子形成加氟碳膜时，能够使原料气体例如C5F8气体的分子链适度分解而得到CF链较长的链结构，由此能够形成介电常数低且泄漏电流小的优异的层间绝缘膜。