-
公开(公告)号：CN112391612A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010788135.4
申请日：2020-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
-
公开(公告)号：CN112391612B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010788135.4
申请日：2020-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
-
公开(公告)号：CN105088190B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201510250053.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：原料气体喷嘴，沿着该原料气体喷嘴的长度方向形成有用于喷出所述原料气体和载气的混合气体的气体喷出孔；整流板部，其沿着所述原料气体喷嘴的长度方向伸出；中央部区域，在该中央部区域，自所述真空容器内的中央部侧向所述旋转台的基板载置面侧供给分离气体；突起部，其在比所述原料气体的气体喷出孔靠所述旋转台的中心部侧的位置自所述整流板部朝向所述旋转台突出；以及排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气。
-
公开(公告)号：CN112391607A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010789975.2
申请日：2020-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104805415B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510043626.5
申请日：2015-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/4401 , C23C16/448 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部。在该基板处理方法中，将基板载置于所述基板载置部，向所述处理容器内供给处理气体而对所载置的所述基板进行处理。在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下向所述处理容器内至少供给水蒸气，并输出所述基板载置部上的所述基板。
-
公开(公告)号：CN112391607B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010789975.2
申请日：2020-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
-
公开(公告)号：CN110364433A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910231945.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/67 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。
-
公开(公告)号：CN105088190A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510250053.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：原料气体喷嘴，沿着该原料气体喷嘴的长度方向形成有用于喷出所述原料气体和载气的混合气体的气体喷出孔；整流板部，其沿着所述原料气体喷嘴的长度方向伸出；中央部区域，在该中央部区域，自所述真空容器内的中央部侧向所述旋转台的基板载置面侧供给分离气体；突起部，其在比所述原料气体的气体喷出孔靠所述旋转台的中心部侧的位置自所述整流板部朝向所述旋转台突出；以及排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气。
-
公开(公告)号：CN104805415A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510043626.5
申请日：2015-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/4401 , C23C16/448 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部。在该基板处理方法中，将基板载置于所述基板载置部，向所述处理容器内供给处理气体而对所载置的所述基板进行处理。在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下向所述处理容器内至少供给水蒸气，并输出所述基板载置部上的所述基板。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.022 seconds)
