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公开(公告)号：CN109817506A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811381880.6
申请日：2018-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和使用该蚀刻方法的凹部图案的嵌入方法，能够控制形成于基板的表面的凹部图案的深度方向上的蚀刻量。所述蚀刻方法用于在处理室内将形成于基板的表面的凹部图案内的膜蚀刻成V字状的截面形状，该蚀刻方法包括以下工序：将所述处理室内的两个以上的参数设定为使所述基板的表面的蚀刻速率比所述凹部图案的内部的蚀刻速率高的条件；以及在所述条件下向所述基板的表面供给蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN108690970B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810274060.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 梅原隆人
IPC: C23C16/44 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及金属污染防止方法和成膜装置，能够防止在清洁成膜装置时发生的金属污染。金属污染防止方法，在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行，该金属污染防止方法包括：温度变更步骤，将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度；活化步骤，在进行了该温度变更步骤之后，向所述处理室内供给氢和氧，并在所述处理室内使所述氢和氧活化；以及涂敷步骤，在进行了该活化步骤之后，在所述处理室内不存在基板的状态下进行所述成膜处理，对所述处理室内进行涂敷。
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公开(公告)号：CN105088190A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510250053.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：原料气体喷嘴，沿着该原料气体喷嘴的长度方向形成有用于喷出所述原料气体和载气的混合气体的气体喷出孔；整流板部，其沿着所述原料气体喷嘴的长度方向伸出；中央部区域，在该中央部区域，自所述真空容器内的中央部侧向所述旋转台的基板载置面侧供给分离气体；突起部，其在比所述原料气体的气体喷出孔靠所述旋转台的中心部侧的位置自所述整流板部朝向所述旋转台突出；以及排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气。
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公开(公告)号：CN104805415A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510043626.5
申请日：2015-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/4401 , C23C16/448 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部。在该基板处理方法中，将基板载置于所述基板载置部，向所述处理容器内供给处理气体而对所载置的所述基板进行处理。在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下向所述处理容器内至少供给水蒸气，并输出所述基板载置部上的所述基板。
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公开(公告)号：CN108149221B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201711277807.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种能够缩短清洁时间并进行均匀性高的清洁的清洁方法。一个实施方式的清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105088190B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201510250053.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：原料气体喷嘴，沿着该原料气体喷嘴的长度方向形成有用于喷出所述原料气体和载气的混合气体的气体喷出孔；整流板部，其沿着所述原料气体喷嘴的长度方向伸出；中央部区域，在该中央部区域，自所述真空容器内的中央部侧向所述旋转台的基板载置面侧供给分离气体；突起部，其在比所述原料气体的气体喷出孔靠所述旋转台的中心部侧的位置自所述整流板部朝向所述旋转台突出；以及排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气。
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公开(公告)号：CN106906454A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610966565.4
申请日：2016-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使旋转台旋转，而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域，由此在基板上成膜，其包括：凹部，其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个，形成为分别收纳所述基板；载置部，其用于在所述凹部内支承基板的比周缘部靠中央的部位；槽部，其为环状，形成为在所述凹部内包围所述载置部；连通路，其包括连通槽或连通孔，该连通槽或连通孔形成为在从所述载置部的中心进行观察时从所述槽部的靠所述旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部的区域；以及排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气。
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公开(公告)号：CN108690970A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810274060.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 梅原隆人
IPC: C23C16/44 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/0209 , C23C16/0227 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/4405 , C23C16/45551 , H01L21/67028 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及金属污染防止方法和成膜装置，能够防止在清洁成膜装置时发生的金属污染。金属污染防止方法，在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行，该金属污染防止方法包括：温度变更步骤，将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度；活化步骤，在进行了该温度变更步骤之后，向所述处理室内供给氢和氧，并在所述处理室内使所述氢和氧活化；以及涂敷步骤，在进行了该活化步骤之后，在所述处理室内不存在基板的状态下进行所述成膜处理，对所述处理室内进行涂敷。
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公开(公告)号：CN105296962A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510289067.6
申请日：2015-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C30B25/14 , C30B29/18
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45548 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。成膜装置包括：真空容器；以及旋转台，其设于该真空容器内。另外，成膜装置包括：凹部，其以能收纳所述基板的方式形成于所述旋转台的一面侧；以及载置部，其用于在该凹部内对基板的比周缘部靠中央的部位进行支承。成膜装置还包括：连通路径，其以在凹部的自凹部的中央看来位于与所述旋转台的中心相反的一侧的端部区域将所述旋转台的外侧的空间和所述凹部内的位于载置部的周围的空间相连通的方式形成于该凹部的壁部，以便将在因所述旋转台的旋转而产生的离心力的作用下在所述凹部内偏向于所述旋转台的外周侧的气体排出；以及排气口，其用于对其所述真空容器内进行真空排气。
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公开(公告)号：CN100399517C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02808797.6
申请日：2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , C30B35/00
Abstract: 本发明的气相生长装置具有在内部配置有基板的反应容器和第1气体导入部及第2气体导入部，其中第1气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第1气体导入管，该第1气体导入部用于将由含有机金属的气体构成的第1气体供给上述反应容器内，第2气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第2气体导入管，该第2气体导入部用于将与上述含有机金属的气体发生反应、并且比上述含有机金属的气体的密度小的第2气体，供给上述反应容器内。第1气体导入管的气体喷出口和第2气体导入管的气体喷出口沿着配置在上述反应容器内的基板的外周进行配置。
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