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公开(公告)号：CN105088190B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201510250053.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：原料气体喷嘴，沿着该原料气体喷嘴的长度方向形成有用于喷出所述原料气体和载气的混合气体的气体喷出孔；整流板部，其沿着所述原料气体喷嘴的长度方向伸出；中央部区域，在该中央部区域，自所述真空容器内的中央部侧向所述旋转台的基板载置面侧供给分离气体；突起部，其在比所述原料气体的气体喷出孔靠所述旋转台的中心部侧的位置自所述整流板部朝向所述旋转台突出；以及排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气。
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公开(公告)号：CN112635283A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011039465.X
申请日：2020-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制清洁导致的过蚀刻和膜残留的控制装置、处理装置和控制方法。本发明的一个方式的控制装置控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，其包括：获取上述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示上述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含上述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；速度计算部，其基于上述温度获取部获取到的上述温度和存储于上述存储部中的上述关系信息来计算上述沉积膜的蚀刻速度；以及时间计算部，其基于上述速度计算部计算出的上述蚀刻速度和存储于上述存储部中的上述膜厚信息来计算用于除去上述沉积膜的蚀刻时间。
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公开(公告)号：CN112635283B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202011039465.X
申请日：2020-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制清洁导致的过蚀刻和膜残留的控制装置、处理装置和控制方法。本发明的一个方式的控制装置控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，其包括：获取上述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示上述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含上述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；速度计算部，其基于上述温度获取部获取到的上述温度和存储于上述存储部中的上述关系信息来计算上述沉积膜的蚀刻速度；以及时间计算部，其基于上述速度计算部计算出的上述蚀刻速度和存储于上述存储部中的上述膜厚信息来计算用于除去上述沉积膜的蚀刻时间。
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公开(公告)号：CN105088190A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510250053.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：原料气体喷嘴，沿着该原料气体喷嘴的长度方向形成有用于喷出所述原料气体和载气的混合气体的气体喷出孔；整流板部，其沿着所述原料气体喷嘴的长度方向伸出；中央部区域，在该中央部区域，自所述真空容器内的中央部侧向所述旋转台的基板载置面侧供给分离气体；突起部，其在比所述原料气体的气体喷出孔靠所述旋转台的中心部侧的位置自所述整流板部朝向所述旋转台突出；以及排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气。
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