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公开(公告)号：CN113025996B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011489484.2
申请日：2020-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，是能够控制膜厚的面内分布的技术。本公开的一个方式的成膜方法包括以下步骤：向处理容器内供给原料气体的步骤；向所述处理容器内供给与所述原料气体发生反应的反应气体的步骤；以及在供给所述原料气体的步骤之前执行的、在不供给所述原料气体的情况下调整所述处理容器内的压力的步骤，在所述成膜方法中，将包括供给所述原料气体的步骤和供给所述反应气体的步骤的循环执行多次，所述多次循环的至少一部分循环包括调整所述压力的步骤。
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公开(公告)号：CN118090032A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311534527.8
申请日：2023-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 及川大海
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，所提供的技术能够抑制膜向隔膜真空计的隔膜的沉积。本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，该处理容器能够减压；成膜气体供给流路，其用于向所述处理容器内供给成膜气体；排气配管，其连接于所述处理容器，用于将所述处理容器内的所述成膜气体排出；分支配管，其从所述排气配管分支出来；以及隔膜真空计，其连接于所述分支配管，其中，所述排气配管和所述分支配管中的至少一方具有促进所述成膜气体的消耗的材料露出的内表面。
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公开(公告)号：CN112680718A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011073511.8
申请日：2020-10-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 及川大海
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/40 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、控制装置以及压力计的调整方法，能够自动地执行压力计的零点调整。本公开的一个方式的成膜装置具备能够被减压的处理容器、检测所述处理容器内的压力的压力计以及控制部，其中，所述控制部构成为，重复进行包括调整所述压力计的零点的步骤和在所述处理容器内执行成膜处理的步骤的循环，直至当在执行所述成膜处理的步骤之后将所述处理容器内排气至最高到达真空度时由所述压力计检测出的到达压力达到目标范围内为止。
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公开(公告)号：CN105970189A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610140383.1
申请日：2016-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 及川大海
IPC: C23C16/458 , C23C16/513 , C23C16/40 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/4411 , C23C16/45536 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J37/32743 , H01L21/67303 , H01L21/67309 , C23C16/4581 , C23C16/402 , C23C16/45525 , C23C16/513 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种基板保持具以及基板处理装置。用于多层地保持多个基板的基板保持具包括圆环状构件，该圆环状构件设置于相邻的基板之间，在与基板的要被等离子体处理的被处理面相对的面的外周缘部具有凸部。
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公开(公告)号：CN113025996A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011489484.2
申请日：2020-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，是能够控制膜厚的面内分布的技术。本公开的一个方式的成膜方法包括以下步骤：向处理容器内供给原料气体的步骤；向所述处理容器内供给与所述原料气体发生反应的反应气体的步骤；以及在供给所述原料气体的步骤之前执行的、在不供给所述原料气体的情况下调整所述处理容器内的压力的步骤，在所述成膜方法中，将包括供给所述原料气体的步骤和供给所述反应气体的步骤的循环执行多次，所述多次循环的至少一部分循环包括调整所述压力的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635283A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011039465.X
申请日：2020-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制清洁导致的过蚀刻和膜残留的控制装置、处理装置和控制方法。本发明的一个方式的控制装置控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，其包括：获取上述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示上述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含上述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；速度计算部，其基于上述温度获取部获取到的上述温度和存储于上述存储部中的上述关系信息来计算上述沉积膜的蚀刻速度；以及时间计算部，其基于上述速度计算部计算出的上述蚀刻速度和存储于上述存储部中的上述膜厚信息来计算用于除去上述沉积膜的蚀刻时间。
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公开(公告)号：CN116895526A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310319334.4
申请日：2023-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3115 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够形成氘的浓度高且表面的氧化被抑制的膜。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备在表面具有对象膜的基板；形成覆盖所述对象膜的阻挡膜；向被所述阻挡膜覆盖的所述对象膜供给氘气和氧气，来向所述对象膜注入氘；以及在将氘注入到所述对象膜后去除所述阻挡膜。
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公开(公告)号：CN114245934A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202080056685.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。
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公开(公告)号：CN112680718B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202011073511.8
申请日：2020-10-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 及川大海
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/40 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、控制装置以及压力计的调整方法，能够自动地执行压力计的零点调整。本公开的一个方式的成膜装置具备能够被减压的处理容器、检测所述处理容器内的压力的压力计以及控制部，其中，所述控制部构成为，重复进行包括调整所述压力计的零点的步骤和在所述处理容器内执行成膜处理的步骤的循环，直至当在执行所述成膜处理的步骤之后将所述处理容器内排气至最高到达真空度时由所述压力计检测出的到达压力达到目标范围内为止。
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公开(公告)号：CN112635283B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202011039465.X
申请日：2020-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制清洁导致的过蚀刻和膜残留的控制装置、处理装置和控制方法。本发明的一个方式的控制装置控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，其包括：获取上述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示上述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含上述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；速度计算部，其基于上述温度获取部获取到的上述温度和存储于上述存储部中的上述关系信息来计算上述沉积膜的蚀刻速度；以及时间计算部，其基于上述速度计算部计算出的上述蚀刻速度和存储于上述存储部中的上述膜厚信息来计算用于除去上述沉积膜的蚀刻时间。
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