公开(公告)号：CN113025996A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011489484.2

申请日：2020-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川大海 ,  高村侑矢

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，是能够控制膜厚的面内分布的技术。本公开的一个方式的成膜方法包括以下步骤：向处理容器内供给原料气体的步骤；向所述处理容器内供给与所述原料气体发生反应的反应气体的步骤；以及在供给所述原料气体的步骤之前执行的、在不供给所述原料气体的情况下调整所述处理容器内的压力的步骤，在所述成膜方法中，将包括供给所述原料气体的步骤和供给所述反应气体的步骤的循环执行多次，所述多次循环的至少一部分循环包括调整所述压力的步骤。

公开(公告)号：CN113025996B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202011489484.2

申请日：2020-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川大海 ,  高村侑矢

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，是能够控制膜厚的面内分布的技术。本公开的一个方式的成膜方法包括以下步骤：向处理容器内供给原料气体的步骤；向所述处理容器内供给与所述原料气体发生反应的反应气体的步骤；以及在供给所述原料气体的步骤之前执行的、在不供给所述原料气体的情况下调整所述处理容器内的压力的步骤，在所述成膜方法中，将包括供给所述原料气体的步骤和供给所述反应气体的步骤的循环执行多次，所述多次循环的至少一部分循环包括调整所述压力的步骤。

公开(公告)号：CN116895526A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310319334.4

申请日：2023-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川大海 ,  高村侑矢

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够形成氘的浓度高且表面的氧化被抑制的膜。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备在表面具有对象膜的基板；形成覆盖所述对象膜的阻挡膜；向被所述阻挡膜覆盖的所述对象膜供给氘气和氧气，来向所述对象膜注入氘；以及在将氘注入到所述对象膜后去除所述阻挡膜。

公开(公告)号：CN115537776A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210707701.3

申请日：2022-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高村侑矢

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/318

Abstract: 一种成膜装置，其提高膜的面内分布的控制性,具有:处理容器；气体供给管,其在上述处理容器内在铅直方向延伸配置,并且具有多个气孔；以及晶舟,其构成为在上述处理容器内在铅直方向容纳基板，该基板包括多个产品基板,该成膜装置通过自上述多个气孔供给的气体在与上述多个气孔分别对应的各个上述基板上形成膜,上述多个气孔中的与存在上述多个产品基板的高度的范围对应配置的多个气孔包括多个第一气孔,该多个第一气孔相对于连结通过上述多个产品基板的每一个产品基板的中心的中心轴线和上述气体供给管的中心轴线的假想线,自上述气体供给管的中心轴线上的点以相同的角度在相同高度开口。

公开(公告)号：CN306298547S

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202030347506.6

申请日：2020-07-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 及川大海 ,  高村侑矢 ,  坂下训康

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体成膜装置用供气喷嘴。
2.本外观设计产品的用途：本产品在半导体成膜装置内供给用于在晶片上成膜的气体的半导体成膜装置用供气喷嘴。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.各设计的仰视图与俯视图对称，因此，省略各设计的仰视图。
6.指定设计1为基本设计。