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公开(公告)号：CN117888192A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311286795.2
申请日：2023-10-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种抑制硅化镍的聚集的技术。根据本公开的一个方式的成膜方法，具有如下工序：准备表面具有非晶硅膜的基板；向所述非晶硅膜供给镍原料气体，并使镍扩散到所述非晶硅膜中；以及加热所述非晶硅膜，通过以扩散到所述非晶硅膜中的所述镍为核的金属诱导横向结晶化，使所述非晶硅膜结晶化来形成多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN110273138A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910198410.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置，能够减少压力计的更换频度。一个实施方式的成膜装置的清洗方法是具有处理容器和压力计的成膜装置的清洗方法，其中，该处理容器用于收容基板并且形成减压气氛来进行成膜处理，该压力计用于对处理容器内的压力进行监视，在所述成膜装置的清洗方法中，向实施了所述成膜处理的所述处理容器内和所述压力计供给用于将在所述成膜处理中形成的膜去除的清洗气体。
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公开(公告)号：CN110233096A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910142632.4
申请日：2019-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。
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公开(公告)号：CN110233096B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910142632.4
申请日：2019-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349881A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910221470.3
申请日：2019-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/321 , H01L21/3205 , C23C16/56 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在处理容器的附近的内壁取向。
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公开(公告)号：CN111463096B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010038164.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
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公开(公告)号：CN110273138B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910198410.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置，能够减少压力计的更换频度。一个实施方式的成膜装置的清洗方法是具有处理容器和压力计的成膜装置的清洗方法，其中，该处理容器用于收容基板并且形成减压气氛来进行成膜处理，该压力计用于对处理容器内的压力进行监视，在所述成膜装置的清洗方法中，向实施了所述成膜处理的所述处理容器内和所述压力计供给用于将在所述成膜处理中形成的膜去除的清洗气体。
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公开(公告)号：CN114245934A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202080056685.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。
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公开(公告)号：CN111463096A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010038164.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
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