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公开(公告)号：CN112071752B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010500322.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
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公开(公告)号：CN109778140A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811346299.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/42 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种能够防止氟混入膜中的清洁方法和成膜方法。一个实施方式的清洁方法是一种执行成膜处理的成膜装置的清洁方法，在成膜处理中，在处理容器内对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜，所述清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，在将所述成膜处理之后被保管在进行了露点管理的气氛中且没有搭载所述基板的所述基板保持器具收容在所述处理容器内的状态下，向所述处理容器内供给不含氟的含卤气体，来对附着在包含所述基板保持器具的所述处理容器内的所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜进行蚀刻，以将所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜去除。
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公开(公告)号：CN104716020A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410764284.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C30B1/023 , C30B29/06 , C30B29/54 , Y10T117/10 , H01L21/02667 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。
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公开(公告)号：CN102168255B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110034604.4
申请日：2011-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02115 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供一种形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法。该方法在基底层上形成包含非晶碳膜的层叠构造，其中，包括以下工序：向上述基底层上供给有机系硅气体，在上述基底层的表面形成包含Si-C键的初始层；向在表面形成有上述初始层的上述基底层上供给包含碳氢化合物气体的成膜气体，在上述基底层上利用热成膜形成上述非晶碳膜。
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公开(公告)号：CN103474344A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310406951.4
申请日：2010-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/44 , C23C16/26
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/0209 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312
Abstract: 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102732855A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210088598.5
申请日：2012-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法和薄膜形成装置，该薄膜形成装置的清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除被附着在装置内部的附着物，其中，该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗工序，在该清洗工序中，通过向被加热至规定的温度的反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，去除上述附着物来清洗薄膜形成装置的内部。
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公开(公告)号：CN1831192B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200610058179.1
申请日：2006-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。
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公开(公告)号：CN1881541A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510087306.6
申请日：2005-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/318 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45531 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/507
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域内供给第一和第三处理气体。在第二工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。在第三工序中，向处理区域内供给第二处理气体，而停止向处理区域供给第一和第三处理气体。第三工序具有将由激发机构使之处于激发状态的第二处理气体供给至处理区域的激发期间。在第四工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。
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公开(公告)号：CN1808690A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510130390.5
申请日：2005-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 在形成例如氮化硅膜时，在成膜处理后，利用与该成膜处理对应的清洗方案对反应容器内进行清洗处理，以除去导致气体或颗粒产生的粘附在反应容器内的膜的表层部，从而减少气体或颗粒的产生。使多片晶片W保持在晶舟25中、将其搬入反应容器2内，以进行使用例如Si2Cl2气体和NH3气体作为成膜气体的成膜方案1的成膜处理。接着，自动选择与该成膜处理对应的清洗方案1，根据该清洗方案1对反应容器2进行清洗处理。根据每次成膜处理的种类准备清洗方案，自动选择与各成膜处理对应的清洗方案以进行清洗处理，由此，可以在抑制产生不必要的清洗时间的状态下，进行与各成膜处理对应的适当的清洗处理。
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公开(公告)号：CN1763915A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510112808.X
申请日：2005-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , C23C16/44 , C23C14/22
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃～700℃，同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去附着物。
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