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公开(公告)号：CN108660434B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201810264470.7
申请日：2018-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置。在去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法中具有以下工序：将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在所述规定压力下升华的温度以上的温度；以及对所述反应室内进行排气的工序。
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公开(公告)号：CN1327485C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN02815512.2
申请日：2002-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。
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公开(公告)号：CN119920685A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411476221.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/67
Abstract: 一种基板处理方法和基板处理装置，提供能够提高绝缘膜中的氘浓度的技术。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备在表面具有绝缘膜的基板；将所述基板从第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度；以及将所述基板维持为所述第二温度，其中，升温至所述第二温度的工序包括向所述基板供给氘气和氢气中的至少一种气体，维持为所述第二温度的工序包括向所述基板供给氘气。
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公开(公告)号：CN101908481A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010194793.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/44 , C23C16/26
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/0209 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312
Abstract: 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。
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公开(公告)号：CN101127298B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710141870.0
申请日：2007-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/318 , H01L21/31 , G05B19/04
CPC classification number: G05B13/048 , G05B11/42
Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置，实现装载时反应管的内壁的温度稳定化，抑制例如附着在内壁上的膜剥落，减少颗粒污染。使用该热处理装置的热处理方法，预先在反应管的内壁上安装内壁温度传感器，求得内壁温度传感器的检测值和向加热单元供给的电力的指令值的各时间系列数据。根据装载初期时这些数据，由之前的电力的指令值，预测内壁温度，以该内壁温度的预测值作为控制对象。并且，在装载末期时，将控制对象缓慢地过渡到设置于反应管外的温度检测部的温度检测值，将该温度检测值作为控制对象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102168255A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110034604.4
申请日：2011-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02115 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供一种形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法。该方法在基底层上形成包含非晶碳膜的层叠构造，其中，包括以下工序：向上述基底层上供给有机系硅气体，在上述基底层的表面形成包含Si-C键的初始层；向在表面形成有上述初始层的上述基底层上供给包含碳氢化合物气体的成膜气体，在上述基底层上利用热成膜形成上述非晶碳膜。
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公开(公告)号：CN108660434A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810264470.7
申请日：2018-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/45544
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置。在去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法中具有以下工序：将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在所述规定压力下升华的温度以上的温度；以及对所述反应室内进行排气的工序。
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公开(公告)号：CN103474344B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310406951.4
申请日：2010-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/44 , C23C16/26
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/0209 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312
Abstract: 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。
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公开(公告)号：CN101234389B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710170125.9
申请日：2007-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D45/08 , B01D45/06 , Y10S55/15 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种收集单元，配设在半导体处理装置的排气通路中，用于收集排出气体中含有的副产物。收集单元包含以能够装卸的方式配设在壳体内的用于收集副产物的部分的收集器本体。收集器本体包含沿排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着副产物的部分来进行收集的表面。收集单元还包含接受机构，该接受机构配设在壳体内，接受从收集器本体或壳体的内表面剥离的剥离副产物的部分，使其不会堆积在壳体的底部。接受机构容许保留在其上的副产物的部分从上方和下方与清洁气体接触。
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公开(公告)号：CN101234389A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710170125.9
申请日：2007-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D45/08 , B01D45/06 , Y10S55/15 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种收集单元，配设在半导体处理装置的排气通路中，用于收集排出气体中含有的副产物。收集单元包含以能够装卸的方式配设在壳体内的用于收集副产物的部分的收集器本体。收集器本体包含沿排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着副产物的部分来进行收集的表面。收集单元还包含接受机构，该接受机构配设在壳体内，接受从收集器本体或壳体的内表面剥离的剥离副产物的部分，使其不会堆积在壳体的底部。接受机构容许保留在其上的副产物的部分从上方和下方与清洁气体接触。
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