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公开(公告)号：CN101812724B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010115673.3
申请日：2010-02-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/0236 , C23C16/4404 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种硅成膜装置及其使用方法。该硅成膜装置的使用方法按照下述的顺序进行各种处理：用硅涂层膜覆盖反应管的预涂层处理、对产品用被处理体上的自然氧化膜进行蚀刻的蚀刻处理、在产品用被处理体上形成硅产品膜的硅成膜处理、以及对反应管上的硅膜进行蚀刻的清除处理。在预涂层处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域的下侧的第1位置具有最下开口部的第1供给口将硅源气体供给到反应管内。在蚀刻处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域和第1位置之间具有最下开口部的第2供给口将蚀刻气体供给到反应管内。
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公开(公告)号：CN1958878A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610135715.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C30B25/00 , C23C16/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜装置的使用方法，其决定成膜处理的处理条件。处理条件包括在被处理基板上形成的薄膜的设定膜厚。另外，根据处理条件，决定进行清除处理的定时。定时由成膜处理的反复次数和设定膜厚的乘积而得到的薄膜累积膜厚的阈值所规定。即使反复进行(N)(N是正整数)次成膜处理，累积膜厚也不大于阈值；如果反复进行(N+1)次，则大于阈值。并且，该方法包括：其间不加入清除处理，进行由成膜处理组成的从第一次处理到第(N)次处理的工序；和在第(N)次处理后、并且在由成膜处理组成的(N+1)次处理前，进行清除处理的工序。
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公开(公告)号：CN109423625B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810964713.8
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/24 , C23C16/34
Abstract: 本公开涉及成膜方法以及成膜装置。在使用包含有机金属化合物的气体对基板进行成膜时，防止基板的背面被金属污染。实施以下工序：预涂工序，向没有被搬入基板(W)的状态的处理容器(11)内供给包含硅的第一气体，利用由硅构成的膜来覆盖包括用于载置基板(W)的载置台(31)在内的所述处理容器(11)内的构件的表面；载置工序，接着，将所述基板(W)以其背面与由所述硅构成的膜接触的方式载置于所述载置台(31)；以及成膜工序，接着，向所述处理容器(11)内供给包含有机金属化合物的第二气体，从而在基板(W)上形成由构成所述有机金属化合物的金属构成的膜。
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公开(公告)号：CN1958878B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200610135715.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C30B25/00 , C23C16/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , Y10S438/905
Abstract: 在本发明提供一种半导体处理用成膜装置的使用方法，其决定成膜处理的处理条件。处理条件包括在被处理基板上形成的薄膜的设定膜厚。另外，根据处理条件，决定进行清除处理的定时。定时由成膜处理的反复次数和设定膜厚的乘积而得到的薄膜累积膜厚的阈值所规定。即使反复进行(N)(N是正整数)次成膜处理，累积膜厚也不大于阈值；如果反复进行(N+1)次，则大于阈值。并且，该方法包括：其间不加入清除处理，进行由成膜处理组成的从第一次处理到第(N)次处理的工序；和在第(N)次处理后、并且在由成膜处理组成的(N+1)次处理前，进行清除处理的工序。
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公开(公告)号：CN112513324A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109423625A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810964713.8
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/24 , C23C16/34
Abstract: 本公开涉及成膜方法以及成膜装置。在使用包含有机金属化合物的气体对基板进行成膜时，防止基板的背面被金属污染。实施以下工序：预涂工序，向没有被搬入基板(W)的状态的处理容器(11)内供给包含硅的第一气体，利用由硅构成的膜来覆盖包括用于载置基板(W)的载置台(31)在内的所述处理容器(11)内的构件的表面；载置工序，接着，将所述基板(W)以其背面与由所述硅构成的膜接触的方式载置于所述载置台(31)；以及成膜工序，接着，向所述处理容器(11)内供给包含有机金属化合物的第二气体，从而在基板(W)上形成由构成所述有机金属化合物的金属构成的膜。
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公开(公告)号：CN101812724A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010115673.3
申请日：2010-02-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/0236 , C23C16/4404 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种硅成膜装置及其使用方法。该硅成膜装置的使用方法按照下述的顺序进行各种处理：用硅涂层膜覆盖反应管的预涂层处理、对产品用被处理体上的自然氧化膜进行蚀刻的蚀刻处理、在产品用被处理体上形成硅产品膜的硅成膜处理、以及对反应管上的硅膜进行蚀刻的清除处理。在预涂层处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域的下侧的第1位置具有最下开口部的第1供给口将硅源气体供给到反应管内。在蚀刻处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域和第1位置之间具有最下开口部的第2供给口将蚀刻气体供给到反应管内。
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公开(公告)号：CN112513324B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN111164739A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880064580.7
申请日：2018-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/505 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。
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公开(公告)号：CN101234389B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710170125.9
申请日：2007-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D45/08 , B01D45/06 , Y10S55/15 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种收集单元，配设在半导体处理装置的排气通路中，用于收集排出气体中含有的副产物。收集单元包含以能够装卸的方式配设在壳体内的用于收集副产物的部分的收集器本体。收集器本体包含沿排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着副产物的部分来进行收集的表面。收集单元还包含接受机构，该接受机构配设在壳体内，接受从收集器本体或壳体的内表面剥离的剥离副产物的部分，使其不会堆积在壳体的底部。接受机构容许保留在其上的副产物的部分从上方和下方与清洁气体接触。
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