公开(公告)号：CN108796471A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810400288.X

申请日：2018-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 芦泽宏明 ,  藤井康 ,  高桥毅 ,  洪锡亨 ,  山崎和良 ,  中村秀雄 ,  布重裕 ,  神尾卓史

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。

公开(公告)号：CN107978541A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710969596.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  桑田拓岳 ,  江原宽贵 ,  田部井幸宽 ,  高桥毅 ,  中村秀雄 ,  山崎和良 ,  出野由和

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。

公开(公告)号：CN100426463C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200580000376.1

申请日：2005-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩田辉夫 ,  纲仓学 ,  二村宗久 ,  高桥毅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4486 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，包括供给液态原料的原料供给部、使液态原料汽化并生成原料气体的汽化器、导入原料气体从而在被处理基板上形成薄膜的成膜室的成膜装置。所述汽化器具备喷射从原料供给部供给的液态原料的喷舞喷嘴、具有喷雾喷嘴开口的一个端部以及封闭的另一个端部，使从喷雾喷嘴喷射的雾状的液态原料汽化并生成原料气体的汽化室、对汽化室进行加热的加热器、在喷雾喷嘴的附近朝着汽化室开口并从汽化室导出原料气体的导出口。所述汽化室的封闭的另一个端部，为了使从喷雾喷嘴喷射的液态原料发生汽化，而仅与喷雾喷嘴保持足够的距离。

公开(公告)号：CN1788334A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200580000376.1

申请日：2005-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩田辉夫 ,  纲仓学 ,  二村宗久 ,  高桥毅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4486 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，包括供给液态原料的原料供给部、使液态原料汽化并生成原料气体的汽化器、导入原料气体从而在被处理基板上形成薄膜的成膜室的成膜装置。所述汽化器具备喷射从原料供给部供给的液态原料的喷雾喷嘴、具有喷雾喷嘴开口的一个端部以及封闭的另一个端部，使从喷雾喷嘴喷射的雾状的液态原料汽化并生成原料气体的汽化室、对汽化室进行加热的加热器、在喷雾喷嘴的附近朝着汽化室开口并从汽化室导出原料气体的导出口。所述汽化室的封闭的另一个端部，为了使从喷雾喷嘴喷射的液态原料发生汽化，而仅与喷雾喷嘴保持足够的距离。

公开(公告)号：CN1254851C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02810326.2

申请日：2002-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博 ,  高桥毅

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种基板处理方法，其特征在于：包括从硅基板表面去除碳的工序、和平坦化所述去除了碳的硅基板表面的工序。

公开(公告)号：CN112071752B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010500322.8

申请日：2020-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  冈田充弘 ,  藤井康 ,  布重裕 ,  川崎真司 ,  桑田拓岳 ,  高木俊夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。

公开(公告)号：CN101529565A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040077.X

申请日：2007-10-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 内田博章 ,  高桥毅

IPC: H01L21/316 ,  H01L27/108 ,  C23C16/56 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10873 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法。该高电介质膜的形成方法包括：在基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜的工序；和在低压的含氧气氛中向高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序。另外，半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜作为栅极绝缘膜的工序；在低压的含氧气氛中向高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序；和在高电介质膜之上形成栅极电极的工序。

公开(公告)号：CN1938832A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009935.5

申请日：2005-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  青山真太郎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/517 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194

Abstract: 将HTB气体和乙硅烷气体导入处理容器(1)内，通过CVD在硅基板(W)上形成硅酸铪膜。通过埋设在支撑基板的基座(2)上的加热器(5)，控制基板温度，进行成膜。该成膜时的基板温度控制在HTB分解成氢氧化铪和异丁烯的温度以上、并且小于乙硅烷气体的自身分解温度，优选在350℃～450℃。

公开(公告)号：CN1518761A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN02805783.X

申请日：2002-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  青山真太郎 ,  神力博 ,  高桥毅

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 利用高频等离子体形成氮游离基，通过将所述氮游离基提供给包含氧的绝缘膜表面，使所述绝缘膜表面氮化。含有所述氧的绝缘膜具有0.4nm以下的膜厚，在将所述表面氮化后的绝缘膜上形成高介电体膜。所述氮游离基借助按照沿着所述绝缘膜的表面流动的方式而形成的气流而得以提供。

公开(公告)号：CN114929933A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080092277.5

申请日：2020-11-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 洪锡亨 ,  高桥毅 ,  门田太一

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 成膜方法包括：在处理容器内设置基板；对处理容器内的基板进行金属系膜的成膜；之后，在处理容器内设置有基板的状态下，向处理容器内供给含Si气体。