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公开(公告)号：CN107689341A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710661418.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6875 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在将基板载置到载置台时基板偏移的基板载置方法和基板载置装置。在载置台(12)向由各升降销(13)支承的晶片(W)上升的基板处理装置(10)中，在晶片(W)的边缘部抵接到载置台(12)的载置面后，停止载置台(12)的上升，在载置台(12)的上升停止规定时间后，重新开始载置台(12)的上升，之后，反复进行载置台(12)的规定时间的上升停止和载置台(12)的上升的重新开始，直到晶片(W)与载置面的抵接继续进行而使晶片(W)的整个面与载置面完全抵接为止。由此，能够抑制在将基板载置到载置台时基板发生偏移。
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公开(公告)号：CN102414803A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018561.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/04 , H01J37/32082 , H01J2237/3387 , H01L21/0217 , H01L21/02247 , H01L21/28273 , H01L21/3211 , H01L21/76224 , H01L21/76232 , H01L27/11521 , H01L29/513 , H01L29/7881
Abstract: 提供一种对于露出有硅表面和硅化合物层的被处理体，以高氮化速率和高氮剂量对硅进行选择性等离子体氮化处理的方法。选择性等离子体氮化处理通过将处理压力设定在66.7Pa以上667Pa以下的范围内，从高频电源(44)向载置台(2)的电极(42)供给对于被处理体的每单位面积为0.1W/cm2以上1.2W/cm2以下的高频电力来进行。由该高频电力向晶片(W)施加偏压电压，得到高的Si/SiO2选择比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403182A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110276265.0
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32192
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及等离子体处理方法。该等离子体处理装置是向载置被处理体的载置台的电极供给偏压用高频电力的方式的等离子体处理装置，抑制等离子体电位的振动，生成稳定的等离子体，并防止由金属制的相对电极的溅蚀导致产生污染。在盖构件(27)的内周侧形成有扩张突出部(60)。扩张突出部(60)面向等离子体生成空间(S)地形成，是起到隔着等离子体生成空间(S)与载置台(5)的电极(7)成对的相对电极的功能的主要部分。相对电极表面积与偏压用电极面积之比(相对电极表面积/偏压用电极面积)优选在1～5的范围内。
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公开(公告)号：CN114929933A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092277.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 成膜方法包括：在处理容器内设置基板；对处理容器内的基板进行金属系膜的成膜；之后，在处理容器内设置有基板的状态下，向处理容器内供给含Si气体。
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公开(公告)号：CN110714191B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910629781.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 门田太一
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。一边从平衡气体供给通路向处理容器内的基板供给平衡气体，一边经由反应气体供给通路向该基板依次供给彼此发生反应的多种反应气体，来层叠反应生成物并形成薄膜，包括：成膜工序，一边连续地供给平衡气体，一边针对多种反应气体中的各种气体依次进行以下动作：将反应气体贮存到贮存部中使其升压，从贮存部向处理容器内喷出该反应气体；吹扫工序，将以下动作反复进行多次：将吹扫气体贮存到贮存部中来使其升压至比成膜工序中的对应的贮存部的升压时的压力高的压力，从贮存部向处理容器内喷出该吹扫气体，其中，在吹扫工序中向处理容器内供给的平衡气体的流量小于在成膜工序中向处理容器内供给的平衡气体的流量。
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公开(公告)号：CN107689341B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201710661418.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在将基板载置到载置台时基板偏移的基板载置方法和基板载置装置。在载置台(12)向由各升降销(13)支承的晶片(W)上升的基板处理装置(10)中，在晶片(W)的边缘部抵接到载置台(12)的载置面后，停止载置台(12)的上升，在载置台(12)的上升停止规定时间后，重新开始载置台(12)的上升，之后，反复进行载置台(12)的规定时间的上升停止和载置台(12)的上升的重新开始，直到晶片(W)与载置面的抵接继续进行而使晶片(W)的整个面与载置面完全抵接为止。由此，能够抑制在将基板载置到载置台时基板发生偏移。
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公开(公告)号：CN110714191A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910629781.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 门田太一
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。一边从平衡气体供给通路向处理容器内的基板供给平衡气体，一边经由反应气体供给通路向该基板依次供给彼此发生反应的多种反应气体，来层叠反应生成物并形成薄膜，包括：成膜工序，一边连续地供给平衡气体，一边针对多种反应气体中的各种气体依次进行以下动作：将反应气体贮存到贮存部中使其升压，从贮存部向处理容器内喷出该反应气体；吹扫工序，将以下动作反复进行多次：将吹扫气体贮存到贮存部中来使其升压至比成膜工序中的对应的贮存部的升压时的压力高的压力，从贮存部向处理容器内喷出该吹扫气体，其中，在吹扫工序中向处理容器内供给的平衡气体的流量小于在成膜工序中向处理容器内供给的平衡气体的流量。
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