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公开(公告)号：CN119506837A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411464495.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供气体处理装置。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设出的；处理气体的第二扩散空间，其在顶部的上方以与各第二气体喷出口连通的方式设置；以及多个第三气体喷出口，其是在所述顶部中的开设各第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设出的，并且沿第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。
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公开(公告)号：CN112071752B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010500322.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
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公开(公告)号：CN110872702A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910783797.X
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，该喷淋头用于从多个气体喷出口向基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于真空容器时，该清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在相向部覆盖构成喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各基板供给成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。
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公开(公告)号：CN108796471A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107689341A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710661418.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6875 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在将基板载置到载置台时基板偏移的基板载置方法和基板载置装置。在载置台(12)向由各升降销(13)支承的晶片(W)上升的基板处理装置(10)中，在晶片(W)的边缘部抵接到载置台(12)的载置面后，停止载置台(12)的上升，在载置台(12)的上升停止规定时间后，重新开始载置台(12)的上升，之后，反复进行载置台(12)的规定时间的上升停止和载置台(12)的上升的重新开始，直到晶片(W)与载置面的抵接继续进行而使晶片(W)的整个面与载置面完全抵接为止。由此，能够抑制在将基板载置到载置台时基板发生偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111560601B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010081889.6
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备如下工序：准备基板的工序；将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序。
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公开(公告)号：CN107689341B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201710661418.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在将基板载置到载置台时基板偏移的基板载置方法和基板载置装置。在载置台(12)向由各升降销(13)支承的晶片(W)上升的基板处理装置(10)中，在晶片(W)的边缘部抵接到载置台(12)的载置面后，停止载置台(12)的上升，在载置台(12)的上升停止规定时间后，重新开始载置台(12)的上升，之后，反复进行载置台(12)的规定时间的上升停止和载置台(12)的上升的重新开始，直到晶片(W)与载置面的抵接继续进行而使晶片(W)的整个面与载置面完全抵接为止。由此，能够抑制在将基板载置到载置台时基板发生偏移。
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公开(公告)号：CN1976003A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163000.9
申请日：2006-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/67051 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76826
Abstract: 本发明提供能够制造电气特性和可靠性优良的半导体装置的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：在形成于半导体基板上的被蚀刻膜的表面，形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序(步骤2)；经由所述蚀刻掩模蚀刻所述被蚀刻膜，在所述蚀刻膜上形成槽或孔的工序(步骤3)；至少包含利用含有臭氧的气体进行的处理，除去所述蚀刻掩模的工序(步骤4、5)；以及通过供给规定的恢复气体，使到所述除去工序为止的工序对所述被蚀刻膜所带来的损伤进行恢复的工序(步骤6)。
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公开(公告)号：CN110872702B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910783797.X
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，该喷淋头用于从多个气体喷出口向基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于真空容器时，该清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在相向部覆盖构成喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各基板供给成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。
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公开(公告)号：CN112071752A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010500322.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
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