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公开(公告)号：CN110047726B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910039959.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。在一实施方式的清洁方法中，要清洁的零部件是配置于由等离子体处理装置的处理腔室提供的内部空间中的零部件。在清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是通过第1气体所含有的第1化合物和第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯，第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在内部空间中执行了基板处理之后，使零部件从处理腔室向加热腔室移动。并且，在加热腔室中对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
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公开(公告)号：CN111383910B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201911358613.1
申请日：2019-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 浅子竜一
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 提供一种基板处理方法，其能够解决针对基板选择性地进行成膜、以及抑制成膜后的金属残留中的至少一个问题。该基板处理方法包括：提供基板的工序；向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述单体聚合的引发剂，并形成聚合物的膜的工序。
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公开(公告)号：CN110010464B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811565044.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: [课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
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公开(公告)号：CN111383910A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911358613.1
申请日：2019-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 浅子竜一
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 提供一种基板处理方法，其能够解决针对基板选择性地进行成膜、以及抑制成膜后的金属残留中的至少一个问题。该基板处理方法包括：提供基板的工序；向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述单体聚合的引发剂，并形成聚合物的膜的工序。
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公开(公告)号：CN1976003A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163000.9
申请日：2006-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/67051 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76826
Abstract: 本发明提供能够制造电气特性和可靠性优良的半导体装置的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：在形成于半导体基板上的被蚀刻膜的表面，形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序(步骤2)；经由所述蚀刻掩模蚀刻所述被蚀刻膜，在所述蚀刻膜上形成槽或孔的工序(步骤3)；至少包含利用含有臭氧的气体进行的处理，除去所述蚀刻掩模的工序(步骤4、5)；以及通过供给规定的恢复气体，使到所述除去工序为止的工序对所述被蚀刻膜所带来的损伤进行恢复的工序(步骤6)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110047727A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910040416.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。等离子体处理装置的零部件的表面包含于划分在腔室内所提供的内部空间的表面。在一实施方式的清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是由于第1气体所含有的第1化合物与第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯，第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在在内部空间中执行了基板处理之后，将因基板处理而在覆膜上形成的堆积物去除。为了去除堆积物，对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
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公开(公告)号：CN1976003B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200610163000.9
申请日：2006-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/67051 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76826
Abstract: 本发明提供能够制造电气特性和可靠性优良的半导体装置的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：在形成于半导体基板上的被蚀刻膜的表面，形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序；经由所述蚀刻掩模蚀刻所述被蚀刻膜，在所述蚀刻膜上形成槽或孔的工序；至少包含利用含有臭氧的气体进行的处理，除去所述蚀刻掩模的工序；以及通过供给规定的恢复气体，使到所述除去工序为止的工序对所述被蚀刻膜所带来的损伤进行恢复的工序。
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公开(公告)号：CN110047727B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910040416.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。等离子体处理装置的零部件的表面包含于划分在腔室内所提供的内部空间的表面。在一实施方式的清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是由于第1气体所含有的第1化合物与第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯，第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在在内部空间中执行了基板处理之后，将因基板处理而在覆膜上形成的堆积物去除。为了去除堆积物，对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
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公开(公告)号：CN110047726A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910039959.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。在一实施方式的清洁方法中，要清洁的零部件是配置于由等离子体处理装置的处理腔室提供的内部空间中的零部件。在清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是通过第1气体所含有的第1化合物和第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯，第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在内部空间中执行了基板处理之后，使零部件从处理腔室向加热腔室移动。并且，在加热腔室中对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
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公开(公告)号：CN110010464A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811565044.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 提供处理基板的方法。一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
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