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公开(公告)号：CN108796471B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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公开(公告)号：CN111378959B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911364275.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/16 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜处理方法。提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高并且抑制微粒的技术。提供一种成膜装置，该成膜装置具备：处理容器，其在内部形成真空气氛；载置台，其用于载置基板，具有设置到所述处理容器内的加热部件；气体喷出机构，其设置到与所述载置台相对的位置；以及排气部件，其从所述处理容器内排气，所述气体喷出机构包括：气体导入口，其用于向所述处理容器内导入处理气体；第1板状构件，其在比所述气体导入口靠外侧的位置具有第1开口部；以及喷淋板，其设置于所述第1板状构件与所述载置台之间，从所述第1开口部经由多个气孔向工艺空间供给所述处理气体。
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公开(公告)号：CN108796471A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119506837A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411464495.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供气体处理装置。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设出的；处理气体的第二扩散空间，其在顶部的上方以与各第二气体喷出口连通的方式设置；以及多个第三气体喷出口，其是在所述顶部中的开设各第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设出的，并且沿第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。
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公开(公告)号：CN109295436A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810819824.X
申请日：2018-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种气体处理装置，其具备：载置部，其设置于真空气氛的处理室，用于载置基板；气体供给部，其位于载置部的上方侧且构成处理室的顶部，并形成有用于将所述处理气体以喷淋状供给的多个气体供给口；气体供给路径形成部，其具备从气体供给部的上方与该气体供给部相向且界定用于使处理气体沿横向扩散的扩散空间的平坦的相向面，该气体供给路径形成部形成处理气体的供给路径；凹部，其围绕相向面的中央部设置；以及气体分散部，沿该气体分散部的周向形成有多个气体喷出口以使从气体分散部供给路径供给的处理气体沿横向分散到扩散空间，围绕相向面的中央部设置有多个气体分散部，各气体分散部分别以不从该相向面突出的方式设置在所述凹部内。
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公开(公告)号：CN109295436B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810819824.X
申请日：2018-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种气体处理装置，其具备：载置部，其设置于真空气氛的处理室，用于载置基板；气体供给部，其位于载置部的上方侧且构成处理室的顶部，并形成有用于将所述处理气体以喷淋状供给的多个气体供给口；气体供给路径形成部，其具备从气体供给部的上方与该气体供给部相向且界定用于使处理气体沿横向扩散的扩散空间的平坦的相向面，该气体供给路径形成部形成处理气体的供给路径；凹部，其围绕相向面的中央部设置；以及气体分散部，沿该气体分散部的周向形成有多个气体喷出口以使从气体分散部供给路径供给的处理气体沿横向分散到扩散空间，围绕相向面的中央部设置有多个气体分散部，各气体分散部分别以不从该相向面突出的方式设置在所述凹部内。
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公开(公告)号：CN111378959A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911364275.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/16 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜处理方法。提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高并且抑制微粒的技术。提供一种成膜装置，该成膜装置具备：处理容器，其在内部形成真空气氛；载置台，其用于载置基板，具有设置到所述处理容器内的加热部件；气体喷出机构，其设置到与所述载置台相对的位置；以及排气部件，其从所述处理容器内排气，所述气体喷出机构包括：气体导入口，其用于向所述处理容器内导入处理气体；第1板状构件，其在比所述气体导入口靠外侧的位置具有第1开口部；以及喷淋板，其设置于所述第1板状构件与所述载置台之间，从所述第1开口部经由多个气孔向工艺空间供给所述处理气体。
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公开(公告)号：CN110819967A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733817.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设出的；处理气体的第二扩散空间，其在顶部的上方以与各第二气体喷出口连通的方式设置；以及多个第三气体喷出口，其是在所述顶部中的开设各第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设出的，并且沿第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。
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