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公开(公告)号：CN108796471A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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公开(公告)号：CN108074976A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711112450.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。
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公开(公告)号：CN114929933A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092277.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 成膜方法包括：在处理容器内设置基板；对处理容器内的基板进行金属系膜的成膜；之后，在处理容器内设置有基板的状态下，向处理容器内供给含Si气体。
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公开(公告)号：CN102812354A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201080064716.8
申请日：2010-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 信和化工株式会社
CPC classification number: G01N30/6095 , B01L3/502761 , B01L2400/0487 , B01L2400/086 , G01N30/6069
Abstract: 色谱分析柱（13）具备：流路（12），该流路（12）具有一对侧壁（23）以及底壁，流动相能够在流路（12）的内部流动；以及多个柱部（31、32），该多个柱部（31、32）隔开规定间隔分别规则地配置。在此，各个柱部（31、32）的外形面包含曲面。侧壁（23）在局部包含沿着柱部（31）的外形面的曲面。在此，在流动相的流动方向上，设置在最靠近侧壁（23）的位置的柱部（31、32）和侧壁（23）之间的最短距离等于柱部（31、32）彼此之间的最短距离。
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公开(公告)号：CN115323351B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210472341.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置，用于形成电阻率低的氮化钛膜。在该方法中，交替地重复实施对收容在处理容器内的基板供给原料气体的操作和对所述基板供给反应气体的操作来形成所述氮化钛膜，其中，所述原料气体含有含氯和钛的钛化合物，所述反应气体含有含氮且与所述钛化合物进行反应来形成氮化钛的氮化合物。在将所述处理容器内的压力的条件设定成使所述氮化钛膜的电阻率成为57μΩ·cm以下的处于2.7kPa～12.6kPa的范围内的条件下，实施形成所述氮化钛膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108796471B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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公开(公告)号：CN106971937B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610847749.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
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公开(公告)号：CN106971937A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610847749.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
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公开(公告)号：CN115323351A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210472341.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置，用于形成电阻率低的氮化钛膜。在该方法中，交替地重复实施对收容在处理容器内的基板供给原料气体的操作和对所述基板供给反应气体的操作来形成所述氮化钛膜，其中，所述原料气体含有含氯和钛的钛化合物，所述反应气体含有含氮且与所述钛化合物进行反应来形成氮化钛的氮化合物。在将所述处理容器内的压力的条件设定成使所述氮化钛膜的电阻率成为57μΩ·cm以下的处于2.7kPa～12.6kPa的范围内的条件下，实施形成所述氮化钛膜的工序。
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公开(公告)号：CN108074976B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201711112450.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。
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