公开(公告)号：CN115323351B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202210472341.3

申请日：2022-04-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  洪锡亨 ,  樋口健介

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置，用于形成电阻率低的氮化钛膜。在该方法中，交替地重复实施对收容在处理容器内的基板供给原料气体的操作和对所述基板供给反应气体的操作来形成所述氮化钛膜，其中，所述原料气体含有含氯和钛的钛化合物，所述反应气体含有含氮且与所述钛化合物进行反应来形成氮化钛的氮化合物。在将所述处理容器内的压力的条件设定成使所述氮化钛膜的电阻率成为57μΩ·cm以下的处于2.7kPa～12.6kPa的范围内的条件下，实施形成所述氮化钛膜的工序。

公开(公告)号：CN115323351A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210472341.3

申请日：2022-04-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  洪锡亨 ,  樋口健介

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置，用于形成电阻率低的氮化钛膜。在该方法中，交替地重复实施对收容在处理容器内的基板供给原料气体的操作和对所述基板供给反应气体的操作来形成所述氮化钛膜，其中，所述原料气体含有含氯和钛的钛化合物，所述反应气体含有含氮且与所述钛化合物进行反应来形成氮化钛的氮化合物。在将所述处理容器内的压力的条件设定成使所述氮化钛膜的电阻率成为57μΩ·cm以下的处于2.7kPa～12.6kPa的范围内的条件下，实施形成所述氮化钛膜的工序。