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公开(公告)号：CN112185882A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010600872.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板的交接方法。在将基板利用载置台加热、冷却的情况下，改善基板的温度的面内均匀性，防止基板支承销折断。基板处理装置包括：具有沿上下方向贯通载置台的贯通孔的载置台，其在上表面载置基板，并对基板进行加热和/或冷却；设有贯穿贯通孔且能够自载置台的上表面突出的贯穿部的基板支承销；能够支承基板支承销的销支承构件，基板支承销设有位于比载置台的下表面靠下侧的凸缘部，销支承构件利用与凸缘部的卡合来支承基板支承销，载置台的贯通孔比基板支承销的凸缘部细，基板支承销具有包含凸缘部的第1构件和与第1构件独立且包含贯穿部的第2构件，第1构件具有载置第2构件且将其支承为滑动自如的滑动面。
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公开(公告)号：CN102714172A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005811.5
申请日：2011-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68785 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种载置台构造，其设置于能够进行排气的处理容器内，用于载置要处理的被处理体，该载置台构造的特征在于，具备：载置台，其用于载置所述被处理体，至少设置有加热单元，由电介质形成；和支柱，其为了支承所述载置台而从所述处理容器的底部侧竖起地设置，并且上端部与所述载置台的下表面连结，在内部具有沿着长度方向形成的多个贯通孔，且由电介质形成。
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公开(公告)号：CN102668060A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080055569.8
申请日：2010-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68742 , C23C16/4586 , H01L21/67109 , H01L21/68785
Abstract: 本发明涉及设置于能够进行排气的处理容器内并用于载置应处理的被处理体的载置台构造。本发明的载置台构造包括：载置台，在板状的载置台主体上支承用于载置所述被处理体的热扩散板，并且在所述载置台主体与所述热扩散板的交界部分设置气体扩散室；设置于所述载置台的加热单元；一个或者多个支柱管，用于支承所述载置台，从所述处理容器的底部立起设置，其上端部与所述载置台的下表面连接，并且与所述气体扩散室连通，流过吹扫气体；载置台罩部件，其以覆盖所述载置台主体的侧面和下表面的方式设置；和支柱管罩部件，其包围所述支柱管的周围，并且上端部与所述载置台罩部件连结，从所述气体扩散室向下方引导流过所述载置台主体与所述载置台罩部件之间的间隙的所述吹扫气体，使所述吹扫气体从气体出口排出。
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公开(公告)号：CN1742113B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480002736.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45521 , C23C16/455
Abstract: 本发明的真空处理装置具有以下部件：具有底部且可真空排气的处理容器；设置在所述处理容器内的载置台；对载置台上的基板进行加热的加热部；向处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；包围载置台和处理容器底部之间的空间，使该空间与处理容器内的处理空间隔离的隔离部；向由隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；从由隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；应调整由隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部及/或清洗气体排气部的控制部；和贯通处理容器底部，插入由所述隔离部包围的空间内，并具有与载置台接触的前端部的温度检测部，隔离部具有与处理容器底部面接触的下端部，控制部将被隔离部包围的空间内的压力调整到比处理容器内的处理空间内的压力高。
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公开(公告)号：CN111834281B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202010275474.2
申请日：2020-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。在利用载置台加热或冷却被载置到该载置台的基板的情况下，改善基板的温度的面内均匀性。一种基板处理装置，其是对基板进行处理的基板处理装置，其具备：载置台，其具有在上下方向上贯通的贯通孔，在上表面载置基板并进行所载置的该基板的加热和冷却中的至少任一者；升降销，其构成为，贯穿所述贯通孔，并且能够经由所述贯通孔从所述载置台的上表面突出；以及支承构件，其构成为能够支承所述升降销，所述升降销具有位于比所述载置台的下表面靠下侧的位置的凸缘部，所述支承构件通过与所述凸缘部卡合来支承所述升降销，所述载置台的所述贯通孔比所述升降销的所述凸缘部细。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112185882B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010600872.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板的交接方法。在将基板利用载置台加热、冷却的情况下，改善基板的温度的面内均匀性，防止基板支承销折断。基板处理装置包括：具有沿上下方向贯通载置台的贯通孔的载置台，其在上表面载置基板，并对基板进行加热和/或冷却；设有贯穿贯通孔且能够自载置台的上表面突出的贯穿部的基板支承销；能够支承基板支承销的销支承构件，基板支承销设有位于比载置台的下表面靠下侧的凸缘部，销支承构件利用与凸缘部的卡合来支承基板支承销，载置台的贯通孔比基板支承销的凸缘部细，基板支承销具有包含凸缘部的第1构件和与第1构件独立且包含贯穿部的第2构件，第1构件具有载置第2构件且将其支承为滑动自如的滑动面。
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公开(公告)号：CN111378959B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911364275.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/16 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜处理方法。提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高并且抑制微粒的技术。提供一种成膜装置，该成膜装置具备：处理容器，其在内部形成真空气氛；载置台，其用于载置基板，具有设置到所述处理容器内的加热部件；气体喷出机构，其设置到与所述载置台相对的位置；以及排气部件，其从所述处理容器内排气，所述气体喷出机构包括：气体导入口，其用于向所述处理容器内导入处理气体；第1板状构件，其在比所述气体导入口靠外侧的位置具有第1开口部；以及喷淋板，其设置于所述第1板状构件与所述载置台之间，从所述第1开口部经由多个气孔向工艺空间供给所述处理气体。
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公开(公告)号：CN1958170B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610142776.2
申请日：2006-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B05B1/14 , C23C16/448 , C23C14/00 , C23F4/00 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种气体喷头(气体供给装置)，其用于CVD装置等，由镍部件组合而构成，防止由于高温引起的镍部件之间相互贴合。用螺钉将形成有大量气体供给孔的由镍部件构成的喷淋板，和与该喷淋板之间形成处理气体流通空间、同时气密地安装在处理容器天井部开口部的周边部的由镍部件构成的基体部件，在周边部位相互接合。在相互的接合面之间，插入不同于镍部件的材质、例如哈斯特洛依耐蚀耐热镍基合金或碳等中间部件。
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公开(公告)号：CN113774355A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110614529.2
申请日：2021-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/16 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够进行抑制了微粒的影响的成膜。在基板上形成膜的成膜装置具有：腔室；基板载置台，其设置于腔室内，载置基板并且将基板保持为成膜温度；气体供给部，其供给包含成膜原料气体的气体；气体喷出构件，其与基板载置台相向地设置，具有用于喷出从气体供给部供给的包含成膜原料气体的气体的气体喷出区；以及过滤器，其以覆盖气体喷出构件的同与基板载置台相向的相向面相反一侧的面的至少气体喷出区的方式设置，所述过滤器使包含成膜原料气体的气体通过来捕获包含成膜原料气体的气体中的微粒。
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公开(公告)号：CN111378959A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911364275.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/16 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜处理方法。提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高并且抑制微粒的技术。提供一种成膜装置，该成膜装置具备：处理容器，其在内部形成真空气氛；载置台，其用于载置基板，具有设置到所述处理容器内的加热部件；气体喷出机构，其设置到与所述载置台相对的位置；以及排气部件，其从所述处理容器内排气，所述气体喷出机构包括：气体导入口，其用于向所述处理容器内导入处理气体；第1板状构件，其在比所述气体导入口靠外侧的位置具有第1开口部；以及喷淋板，其设置于所述第1板状构件与所述载置台之间，从所述第1开口部经由多个气孔向工艺空间供给所述处理气体。
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