公开(公告)号：CN101325174A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810086981.0

申请日：2005-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田国弘 ,  成嶋健索 ,  若林哲

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明提供一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。本发明还提供一种在由Si基板或基板上形成的金属硅化物膜构成的衬底上形成的接触结构。所述接触结构由在所述衬底上形成的Si或金属硅化物与Ti的反应层、和在所述反应层上形成的2层结构的TiN膜组成。

公开(公告)号：CN1958170A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610142776.2

申请日：2006-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味久 ,  齐藤哲也 ,  挂川崇 ,  间瀬贵久 ,  小泉真 ,  多田国弘 ,  若林哲 ,  成嶋健索 ,  方成

IPC: B05B1/14 ,  C23C16/448 ,  C23C14/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种气体喷头(气体供给装置)，其用于CVD装置等，由镍部件组合而构成，防止由于高温引起的镍部件之间相互贴合。用螺钉将形成有大量气体供给孔的由镍部件构成的喷淋板，和与该喷淋板之间形成处理气体流通空间、同时气密地安装在处理容器天井部开口部的周边部的由镍部件构成的基体部件，在周边部位相互接合。在相互的接合面之间，插入不同于镍部件的材质、例如哈斯特洛依耐蚀耐热镍基合金或碳等中间部件。

公开(公告)号：CN1777694A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200380100145.9

申请日：2003-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田国弘 ,  横井裕明 ,  若林哲 ,  成嵨健索

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体CVD在被处理基板(W)上形成规定薄膜的成膜方法，该方法至少交替各进行一次所述第一以及第二工序。第一工序中，一边将含有薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳基板(W)的处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第一等离子体。第二工序中，继第一工序之后，一边将所述还原气体供给到处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第二等离子体。

公开(公告)号：CN110616417A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910505326.2

申请日：2019-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 若林哲 ,  中込素子 ,  山崎英亮

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种金属膜的形成方法和成膜装置，能够对基板上形成的金属膜的膜厚的面内分布进行控制。本公开的一个方式的金属膜的形成方法包括以下工序：向用于收容基板的处理容器内供给含有金属原料气体和等离子体激励气体的第一气体以及含有还原气体和等离子体激励气体的第二气体，并通过等离子体CVD法来在所述基板上形成第一金属膜；以及在形成所述第一金属膜的工序之后，向所述处理容器内供给含有所述金属原料气体和所述等离子体激励气体的第三气体以及含有所述还原气体和所述等离子体激励气体的第四气体，并通过等离子体CVD法来在所述第一金属膜上形成第二金属膜。

公开(公告)号：CN101606228B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200880004044.4

申请日：2008-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 若林哲 ,  成嶋健索

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明的成膜方法包括：在层间绝缘膜(520)上和接触孔(530)底部的含硅表面(512)上形成钛膜的钛膜形成工序；将该钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜(550)的氮化工序；和在氮化钛膜上形成钨膜(560)的钨膜形成工序。由此，能够防止由于钛层的变质而引起的钨膜的剥离，并且能够使阻挡层比现有技术薄，并提高生产率。

公开(公告)号：CN101443477B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200780017194.4

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  若林哲 ,  高山贵光

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法和存储介质，该Ti类膜的成膜方法包括：在基座上不存在晶片(W)的状态下向腔室内导入含氟的清洗气体而对腔室内进行清洗的工序(工序1)；在基座上不存在晶片(W)的状态下对基座进行加热，并从喷淋头向腔室内喷出含Ti的处理气体，至少在喷淋头的表面形成预敷膜的工序(工序2)；和之后，在已加热基座(2)的状态下将晶片载置于其上，通过向腔室(1)内供给处理气体而在晶片(W)上形成Ti类膜的工序(工序3)，其中，使基座的温度低于成膜工序时的温度进行预敷膜形成工序。

公开(公告)号：CN101606228A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004044.4

申请日：2008-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 若林哲 ,  成嶋健索

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明的成膜方法包括：在层间绝缘膜(520)上和接触孔(530)底部的含硅表面(512)上形成钛膜的钛膜形成工序；将该钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜(550)的氮化工序；和在氮化钛膜上形成钨膜(560)的钨膜形成工序。由此，能够防止由于钛层的变质而引起的钨膜的剥离，并且能够使阻挡层比现有技术薄，并提高生产率。

公开(公告)号：CN101397653A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810169541.1

申请日：2008-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  熊谷晃 ,  若林哲

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。

公开(公告)号：CN1692177A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100730.9

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 若林哲 ,  冈部真也 ,  村上诚志 ,  森嵨雅人 ,  多田国弘

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68

Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。

公开(公告)号：CN114008243A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080043533.1

申请日：2020-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 若林哲

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/448 ,  H01L21/285

Abstract: 本公开提供一种处理方法和基板处理系统，向处理容器稳定地供给原料气体。一种处理方法，是基板处理系统的处理方法，所述基板处理系统具备：处理容器，其具有用于载置基板的载置台；安装部，其能够装卸用于收容固体原料的原料容器；加热部，其用于使收容于原料容器的固体原料气化，来产生原料气体；载气供给部，其用于向原料容器供给载气；供给线路，其用于将原料气体随同载气从原料容器供给到处理容器；控制部，其至少控制加热部和从载气供给部供给的载气的流量中的至少一方，以控制向处理容器供给的原料气体的流量；以及决定部，其用于决定安装于安装部的原料容器的初始填充状态，其中，决定部基于工作实绩和表来决定原料容器的初始填充状态。