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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1777977A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010470.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28518 , C23C16/08 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供一种在Si晶片(1)上形成硅化钛膜(4)的成膜方法。首先，通过使用高频的等离子体处理Si晶片(1)。接着，向通过等离子体处理的含Si部分上供给含Ti原料气体，生成等离子体，进行Ti成膜，通过此时的Ti膜与含Si部分的Si反应，生成硅化钛膜(4)。Si晶片(1)的等离子体处理，是向Si晶片(1)上施加绝对值在200V以上的DC偏置电压(Vdc)而进行的。
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公开(公告)号：CN100564587C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200380100730.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/68
Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。
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公开(公告)号：CN1777977B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200480010470.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28518 , C23C16/08 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供一种在Si晶片(1)上形成硅化钛膜(4)的成膜方法。首先，通过使用高频的等离子体处理Si晶片(1)。接着，向通过等离子体处理的含Si部分上供给含Ti原料气体，生成等离子体，进行Ti成膜，通过此时的Ti膜与含Si部分的Si反应，生成硅化钛膜(4)。Si晶片(1)的等离子体处理，是向Si晶片(1)上施加绝对值在200V以上的DC偏置电压(Vdc)而进行的。
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公开(公告)号：CN1692177A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100730.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/68
Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。
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