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公开(公告)号：CN101298667A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810109994.5
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其具有：准备成膜装置的工序，该成膜装置具有处理容器、气体供给部、排气部、载置台、和激励机构；向处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体CVD进行第一处理的工序，第一处理气体是通过电离主要产生第一极性的离子的气体；在第一处理后，进行稳定化处理容器内的状态的稳定化处理的工序，稳定化处理设定为，将通过电离主要产生与第一极性相反的第二极性的离子的稳定化处理气体，提供给处理容器内部，进行等离子体化；在稳定化处理后，将基板搬入处理容器内，在载置台的上面上载置基板的工序；和向处理容器内提供主处理气体，通过等离子体CVD进行主成膜处理，由此在载置台上的基板上形成膜的工序。
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公开(公告)号：CN107723682B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710686260.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。
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公开(公告)号：CN101910458B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200980101620.1
申请日：2009-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈部真也
IPC: H01L21/28
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/50
Abstract: 在将金属系膜成膜时，对多张被处理基板反复进行如下工序，即在腔室内形成预涂覆膜的工序；对多张被处理基板进行如下处理的工序，即在预涂覆后的腔室内搬入被处理基板并载置在工作台上，边加热被处理基板，边供给处理气体地生成处理气体的等离子体，利用等离子体CVD在被处理基板上形成金属系膜的处理，并且在被处理基板上形成金属系膜的处理的工序的中途进行1次或2次以上、在工作台上形成导电性膜的处理。
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公开(公告)号：CN107723682A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710686260.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。
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公开(公告)号：CN101910458A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980101620.1
申请日：2009-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈部真也
IPC: C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/50
Abstract: 在将金属系膜成膜时，对多张被处理基板反复进行如下工序，即在腔室内形成预涂覆膜的工序；对多张被处理基板进行如下处理的工序，即在预涂覆后的腔室内搬入被处理基板并载置在工作台上，边加热被处理基板，边供给处理气体地生成处理气体的等离子体，利用等离子体CVD在被处理基板上形成金属系膜的处理，并且在被处理基板上形成金属系膜的处理的工序的中途进行1次或2次以上、在工作台上形成导电性膜的处理。
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公开(公告)号：CN1692177A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100730.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/68
Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。
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公开(公告)号：CN118773582A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410394106.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种成膜装置和成膜方法，稳定地形成锆膜。成膜装置具备：处理容器，其内部被减压；电极，其用于使该处理容器的内部的处理空间产生电场；高频电源，其向该电极供给高频电力；载置台，其配置于处理容器的内部，用于载置基板；以及成膜气体导入部，其向处理空间导入气化后的氯化锆，其中，成膜气体导入部由金属构成，成膜气体导入部接地。
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公开(公告)号：CN100564587C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200380100730.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/68
Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。
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