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公开(公告)号：CN108293292B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201780004093.7
申请日：2017-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/312
Abstract: 等离子电极(30)具备中间电极板(60)、接地板(40)以及被配置在中间电极板(60)与接地板(40)之间的中间绝缘板(50)。中间电极板(60)的凸部(61)被配置于接地板(40)的贯通孔(42)以及中间绝缘板(50)的贯通孔(52)的内侧。被设置在凸部(61)的中心轴的贯通孔(62)或者被设置在贯通孔(42)的周围的贯通孔(41)的任意一方将第一处理气体向接地板(40)的下方排出。贯通孔(62)或者贯通孔(41)的任意另一方排出接地板(40)的下方的气体。凸部(61)的周围的第二流路对凸部(61)的外侧壁与贯通孔(42)的内侧壁之间的间隙供给经由第一流路(68)所供给的第二处理气体。供给到该间隙的第二处理气体通过施加到中间电极板(60)的高频电力而在该间隙内被等离子化。
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公开(公告)号：CN101298667A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810109994.5
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其具有：准备成膜装置的工序，该成膜装置具有处理容器、气体供给部、排气部、载置台、和激励机构；向处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体CVD进行第一处理的工序，第一处理气体是通过电离主要产生第一极性的离子的气体；在第一处理后，进行稳定化处理容器内的状态的稳定化处理的工序，稳定化处理设定为，将通过电离主要产生与第一极性相反的第二极性的离子的稳定化处理气体，提供给处理容器内部，进行等离子体化；在稳定化处理后，将基板搬入处理容器内，在载置台的上面上载置基板的工序；和向处理容器内提供主处理气体，通过等离子体CVD进行主成膜处理，由此在载置台上的基板上形成膜的工序。
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公开(公告)号：CN102498546A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041115.5
申请日：2010-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/452 , C23C16/45502 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J37/32633
Abstract: 本发明涉及成膜装置。在密封的处理容器(10)内使反应气体反应而在基板(S)上形成薄膜的成膜装置(1a)中，分隔壁(41)将基板(S)的上方空间在横向分割为等离子体生成空间(401)与排气空间(402)，并且从处理容器(10)的顶部向下方延伸，在其下端与基板S之间形成从等离子体生成空间(401)向排气空间(402)流动气体的缝隙。活化机构(42，43)使供给至等离子体生成空间(401)的第1反应气体活化而生成等离子体。第2反应气体供给部(411，412)向等离子体生成空间(401)的下部侧供给与第1反应气体的活性种反应而在基板上形成薄膜的第2输送气体，真空排气口(23)从比分隔壁(41)的下端高的位置对排气空间(402)进行排气。
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公开(公告)号：CN101106070B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710105523.2
申请日：2004-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，它具备：产生等离子体的等离子体发生部；在内部收容被处理基板的腔室；设置在所述等离子体发生部和所述腔室之间，支撑所述等离子发生部并且装载在所述腔室上，将等离子体形成用的处理气体导入由所述等离子体发生部和所述腔室划成的处理空间的处理气体导入机构；和将所述处理气体导入机构和所述等离子体发生部相对所述腔室进行装拆的拆装机构。
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公开(公告)号：CN108293292A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201780004093.7
申请日：2017-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/312
Abstract: 等离子电极(30)具备中间电极板(60)、接地板(40)以及被配置在中间电极板(60)与接地板(40)之间的中间绝缘板(50)。中间电极板(60)的凸部(61)被配置于接地板(40)的贯通孔(42)以及中间绝缘板(50)的贯通孔(52)的内侧。被设置在凸部(61)的中心轴的贯通孔(62)或者被设置在贯通孔(42)的周围的贯通孔(41)的任意一方将第一处理气体向接地板(40)的下方排出。贯通孔(62)或者贯通孔(41)的任意另一方排出接地板(40)的下方的气体。凸部(61)的周围的第二流路对凸部(61)的外侧壁与贯通孔(42)的内侧壁之间的间隙供给经由第一流路(68)所供给的第二处理气体。供给到该间隙的第二处理气体通过施加到中间电极板(60)的高频电力而在该间隙内被等离子化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103765558A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042603.7
申请日：2012-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 森嶋雅人
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种成膜方法，其在使用等离子体CVD法形成例如作为太阳能电池的发电层的硅膜时能够控制硅膜的结晶性，其组合第1工序（预混合）和第2工序（后混合），上述第1工序是预先混合氢气与单硅烷气体，使该混合气体等离子体化而在基板（S）上使硅膜（F1）成膜的工序；上述第2工序是分开供给氢气和单硅烷气体并进行等离子体化，使硅膜（F2）成膜的工序。作为组合的例子，可举出通过预混合在基板（S）上形成硅膜（F1），通过后混合在该硅膜（F1）上形成硅膜（F2）的方法；在基板（S）上交替多次成膜硅膜（F1）和（F2）的方法等。
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公开(公告)号：CN100350569C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200480001036.6
申请日：2004-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在具有等离子体发生部和在内部收容被处理基板的腔室的等离子体处理装置中，设置在等离子体发生部和腔室之间，将处理气体导入由等离子体发生部和腔室构成的处理空间中的处理气体导入机构具有：支撑等离子发生部并且固定在腔室上，形成将处理气体导入处理空间的气体导入通路，在其中央具有成为所述处理空间的一部分的空穴部的气体导入基座、和可以取出地安装在气体导入基座的空穴部中，具有从气体导入通路连通到处理空间而将处理气体喷出到处理空间的多个气体喷出孔的形成大致环状的气体导入板。
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公开(公告)号：CN100508117C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710153570.4
申请日：2004-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具备：收容被处理体的腔室；具有以与腔室连通的方式设置在所述腔室上方的由电介质构成的钟罩和线圈状地卷绕在所述钟罩的外侧周围并在所述钟罩内形成感应电场的天线，向着所述钟罩的内侧使等离子体产生的等离子体发生部；设置在所述等离子体发生部和所述腔室之间，将等离子体形成用的气体导入由所述等离子体发生部和所述腔室划成的处理空间的气体导入机构；设置在所述腔室内的支撑被处理体的载置台；和由电介质构成的覆盖所述载置台并且载置所述被处理体的掩模，所述掩模形成载置所述被处理体的第一区域和所述第一区域的周围的第二区域具有相同高度的构成。
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公开(公告)号：CN101123178A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710153570.4
申请日：2004-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具备：收容被处理体的腔室；具有以与腔室连通的方式设置在所述腔室上方的由电介质构成的钟罩和线圈状地卷绕在所述钟罩的外侧周围并在所述钟罩内形成感应电场的天线，向着所述钟罩的内侧使等离子体产生的等离子体发生部；设置在所述等离子体发生部和所述腔室之间，将等离子体形成用的气体导入由所述等离子体发生部和所述腔室划成的处理空间的气体导入机构；设置在所述腔室内的支撑被处理体的载置台；和由电介质构成的覆盖所述载置台并且载置所述被处理体的掩模，所述掩模形成载置所述被处理体的第一区域和所述第一区域的周围的第二区域具有相同高度的构成。
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公开(公告)号：CN101106070A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710105523.2
申请日：2004-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，它具备：产生等离子体的等离子体发生部；在内部收容被处理基板的腔室；设置在所述等离子体发生部和所述腔室之间，支撑所述等离子发生部并且装载在所述腔室上，将等离子体形成用的处理气体导入由所述等离子体发生部和所述腔室划成的处理空间的处理气体导入机构；和将所述处理气体导入机构和所述等离子体发生部相对所述腔室进行装拆的拆装机构。
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