-
公开(公告)号：CN110592558B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910505338.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
-
公开(公告)号：CN103209537A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310077535.4
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线（54）接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座（12）附近（即半导体晶片（W）上）使等离子体的密度均匀化。RF天线（54）具有线圈直径不同的多个单绕线圈（54（1）、54（2）、54（3））。各线圈（54（1）、54（2）、54（3））的高频供电点夹着非常小的切口而设置。
-
公开(公告)号：CN102054649A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010524962.9
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合型的等离子体工艺中，使用简单的校正线圈自如且精细地控制等离子体密度分布的等离子体处理装置。该感应耦合型等离子体处理装置在接近RF天线54的电介质窗52的下面，呈多纳圈状生成感应耦合的等离子体，使该多纳圈状的等离子体在宽阔的处理空间内分散，然后，在基座12附近(即，半导体晶片W上)使等离子体的密度变得平均。使基座12附近的等离子体密度分布在径向上变得均一，并且通过校正线圈70对RF天线54所产生的RF磁场进行电磁场的校正，同时，根据腔10内的压力，利用天线线圈间隔控制部72改变校正线圈70的高度位置。
-
公开(公告)号：CN101431009A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810175598.2
申请日：2008-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种喷淋板和基板处理装置，即使经过使用时间，也能够为了延长喷淋板的寿命，而防止异常放电的发生。基板处理装置(10)具有对腔室(11)内的处理空间(S)供给处理气体的喷淋头(30)，该喷淋头(30)具有圆板状的喷淋板(31)，该喷淋板(31)介于形成在喷淋头(30)内且用于导入处理气体的空间(34)和处理空间(S)之间，并且具有连通空间(34)和处理空间(S)的处理气体供给路径(36)，该处理气体供给路径(36)具有形成在空间(34)侧的多个气孔(40)和形成在处理空间(S)侧的多个气槽(41)，多个气孔(40)和多个气槽(41)相互连通，全部气槽(41)的流路截面积的总和比全部气孔(40)的流路截面积的总和大。
-
公开(公告)号：CN101303997A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001388.1
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110592558A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910505338.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
-
公开(公告)号：CN107151790A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710118392.5
申请日：2017-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 传宝一树
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , H01L21/02
Abstract: 本发明在进行PEALD处理的基板处理装置中，大幅地降低入射到晶片的离子的能量，抑制由离子的注入导致的对沉积膜的损伤，实施表面性状良好的成膜处理。一种基板处理装置，其对基板供给原料气体并对基板照射等离子体来进行成膜处理，上述基板处理装置包括：气密地收纳用于载置基板的载置台的处理容器；在上述处理容器内生成等离子体的等离子体源，上述等离子体源包括等离子体生成用的高频电源，上述等离子体源包括使要生成的等离子体的鞘电位降低的鞘电位降低机构。
-
公开(公告)号：CN102056395B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010524985.X
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体处理中，使用处于电浮动状态的线圈，自由且精细地控制等离子体密度分布。该感应耦合型等离子体处理装置在接近RF天线(54)的电介质窗(52)之下呈环形地生成感应耦合的等离子体，使该环形等离子体在宽阔的处理空间内分散，在基座(12)附近(即，半导体晶片(W)上)使等离子体的密度变得均匀。为了沿着径向任意地控制基座(12)附近的等离子体密度分布，带电容器的浮动线圈(70)对RF天线(54)产生的RF磁场以及在腔室(10)内生成的环形等离子体的等离子体密度分布发挥消极或者积极的作用。
-
公开(公告)号：CN102054649B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201010524962.9
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合型的等离子体工艺中，使用简单的校正线圈自如且精细地控制等离子体密度分布的等离子体处理装置。该感应耦合型等离子体处理装置在接近RF天线54的电介质窗52的下面，呈多纳圈状生成感应耦合的等离子体，使该多纳圈状的等离子体在宽阔的处理空间内分散，然后，在基座12附近(即，半导体晶片W上)使等离子体的密度变得平均。使基座12附近的等离子体密度分布在径向上变得均一，并且通过校正线圈70对RF天线54所产生的RF磁场进行电磁场的校正，同时，根据腔10内的压力，利用天线线圈间隔控制部72改变校正线圈70的高度位置。
-
公开(公告)号：CN102056394B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010524932.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.029 seconds)
