公开(公告)号：CN109244004B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201811000665.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

公开(公告)号：CN109244004A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811000665.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

公开(公告)号：CN1540738A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410034165.7

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广濑润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN105529289A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510685548.9

申请日：2015-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67011

Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

公开(公告)号：CN101303997A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810001388.1

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广瀬润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN105529289B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201510685548.9

申请日：2015-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

公开(公告)号：CN101303998A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810001389.6

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广瀬润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN100375261C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200410034165.7

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广濑润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN1779906A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510117318.9

申请日：2005-11-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 贝濑精一 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  中村博 ,  横内健 ,  柴田真理子 ,  小尾章

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  G05B19/418

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30

Abstract: 提供一种可以使处理效率飞跃地提高的基板处理方法。作为晶片处理的基板处理方法，在具有基板处理装置(2)、大气输送装置(3)以及负载锁定室(4)的基板处理系统(1)中执行，具有输送半导体晶片W的基板输送工序(工序S43和S49)、和对半导体晶片W进行蚀刻处理的基板处理工序(工序S44～S48)，基板输送工序和基板处理工序由多个动作构成，该基板处理方法，使构成各工序的多个动作中的至少2个动作并行地执行。

公开(公告)号：CN101303998B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200810001389.6

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广瀬润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。