公开(公告)号：CN100397569C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610003291.5

申请日：2006-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村博 ,  小林俊之 ,  早坂伸一郎 ,  贝瀬精一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明的基板处理装置(100)具备导入气体后进行规定的处理的多个处理室(200A、200B等)；分别设置在所述各处理室中的排气系统(220A、220B等)；和连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统(310)，其中，共同排气系统构成为可切换除害共同排气系统(320)与非除害共同排气系统(330)，除害共同排气系统(320)通过除害部件(340)对来自所述各处理室的排气系统的排气进行除害并排出，非除害共同排气系统(330)不经过除害部件排出来自所述各处理室的排气系统的排气，设置控制部件(400)，根据各处理室进行的处理的种类，进行除害共同排气系统与非除害共同排气系统的切换控制。

公开(公告)号：CN1790616A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118834.3

申请日：2005-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤智之 ,  小泽润 ,  中村博 ,  风间和典 ,  守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  G05B19/04 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。

公开(公告)号：CN100591190C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200610066499.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  田中秀朗 ,  藤原尚 ,  舆水地盐 ,  小岩史明 ,  小林俊之 ,  仲山阳一 ,  中村博

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。

公开(公告)号：CN100419953C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200610088536.9

申请日：2006-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村博 ,  贝瀬精一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C14/50 ,  C23C16/46 ,  G05B19/02

Abstract: 本发明提供了一种能够防止传热气体供给装置控制性恶化的基板处理装置。起动RIE处理前增加氦气压力的处理的程序，从对传热气体供给管线49、50等抽真空开始，经过延迟时间时，测定主排气管70，71中流动的氦气的压力(工序S74)，基于测定的主排气管70、77中的压力与RIE处理的方案规定的氦气设定供给压力的压差，从压差和加速流量对应的加速程序用表中选择加速流量，设定作为加速程序中加速流量(工序S75)，执行使用该加速流量的加速程序(工序S76)。

公开(公告)号：CN1779906A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510117318.9

申请日：2005-11-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 贝濑精一 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  中村博 ,  横内健 ,  柴田真理子 ,  小尾章

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  G05B19/418

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30

Abstract: 提供一种可以使处理效率飞跃地提高的基板处理方法。作为晶片处理的基板处理方法，在具有基板处理装置(2)、大气输送装置(3)以及负载锁定室(4)的基板处理系统(1)中执行，具有输送半导体晶片W的基板输送工序(工序S43和S49)、和对半导体晶片W进行蚀刻处理的基板处理工序(工序S44～S48)，基板输送工序和基板处理工序由多个动作构成，该基板处理方法，使构成各工序的多个动作中的至少2个动作并行地执行。

公开(公告)号：CN101582378A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910145487.1

申请日：2005-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤智之 ,  小泽润 ,  中村博 ,  风间和典 ,  守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  G05B19/04

Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。

公开(公告)号：CN100524609C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510118834.3

申请日：2005-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤智之 ,  小泽润 ,  中村博 ,  风间和典 ,  守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  G05B19/04 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。

公开(公告)号：CN1873914A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610088536.9

申请日：2006-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村博 ,  贝瀬精一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C14/50 ,  C23C16/46 ,  G05B19/02

Abstract: 本发明提供了一种能够防止传热气体供给装置控制性恶化的基板处理装置。起动RIE处理前增加氦气压力的处理的程序，从对传热气体供给管线49、50等抽真空开始，经过延迟时间时，测定主排气管70，71中流动的氦气的压力(工序S74)，基于测定的主排气管70、77中的压力与RIE处理的方案规定的氦气设定供给压力的压差，从压差和加速流量对应的加速程序用表中选择加速流量，设定作为加速程序中加速流量(工序S75)，执行使用该加速流量的加速程序 (工序S76)。

公开(公告)号：CN1822315A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610003291.5

申请日：2006-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村博 ,  小林俊之 ,  早坂伸一郎 ,  贝瀬精一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明的基板处理装置(100)具备导入气体后进行规定的处理的多个处理室(200A、200B等)；分别设置在所述各处理室中的排气系统(220A、220B等)；和连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统(310)，其中，共同排气系统构成为可切换除害共同排气系统(320)与非除害共同排气系统(330)，除害共同排气系统(320)通过除害部件(340)对来自所述各处理室的排气系统的排气进行除害并排出，非除害共同排气系统(330)不经过除害部件排出来自所述各处理室的排气系统的排气，设置控制部件(400)，根据各处理室进行的处理的种类，进行除害共同排气系统与非除害共同排气系统的切换控制。

公开(公告)号：CN101582378B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910145487.1

申请日：2005-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤智之 ,  小泽润 ,  中村博 ,  风间和典 ,  守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  G05B19/04

Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。