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公开(公告)号：CN102007588B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980113330.9
申请日：2009-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67745 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/67109
Abstract: 基板载置台的降温方法使用基板(W)处理系统，该系统包括：第一基板载置台(2b)；一个以上的处理室(1b)，其在内部设置有第一基板载置台(2b)，在第一基板载置台(2b)上载置有基板(W)的状态下进行规定的处理；向处理室(1b)搬送基板(W)的基板搬送装置(31)；在内部设置有基板搬送装置(31)的搬送室；和用于冷却基板(W)的第二基板载置台(6a)。基板载置台的降温方法包括：利用基板搬送装置(31)将载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)向第二基板载置台(6a)搬送的第一移载工序；和利用基板搬送装置(31)将载置在第二基板载置台(6a)上的基板(W)向第一基板载置台(2b)搬送的第二移载工序。通过反复进行第一移载工序和第二移载工序，利用载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)吸收第一基板载置台(2b)的热，由此使第一基板载置台(2b)降温。
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公开(公告)号：CN100463104C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610065966.9
申请日：2006-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67276
Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置，其包括多个用于处理基板的处理室以及将基板从多个处理室运入运出的输送部，包括输送历史记录部、处理历史记录部以及报警历史记录部。输送历史记录部将关于输送部输送基板的历史信息与每一基板相关联，并记录该历史信息作为第一历史信息。处理历史记录部将关于多个处理室中的每一个内的基板的处理状态的历史信息与每一被处理的基板目标相关联，并记录该历史信息作为第二历史信息。报警历史记录部将关于在输送部和处理室至少一个之内发生的报警的历史信息与每一基板相关联，并记录该历史信息作为第三历史信息。
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公开(公告)号：CN102007588A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113330.9
申请日：2009-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67745 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/67109
Abstract: 基板载置台的降温方法使用基板(W)处理系统，该系统包括：第一基板载置台(2b)；一个以上的处理室(1b)，其在内部设置有第一基板载置台(2b)，在第一基板载置台(2b)上载置有基板(W)的状态下进行规定的处理；向处理室(1b)搬送基板(W)的基板搬送装置(31)；在内部设置有基板搬送装置(31)的搬送室；和用于冷却基板(W)的第二基板载置台(6a)。基板载置台的降温方法包括：利用基板搬送装置(31)将载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)向第二基板载置台(6a)搬送的第一移载工序；和利用基板搬送装置(31)将载置在第二基板载置台(6a)上的基板(W)向第一基板载置台(2b)搬送的第二移载工序。通过反复进行第一移载工序和第二移载工序，利用载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)吸收第一基板载置台(2b)的热，由此使第一基板载置台(2b)降温。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841653A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610065966.9
申请日：2006-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67276
Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置，其包括多个用于处理基板的处理室以及将基板从多个处理室运入运出的输送部，包括输送历史记录部、处理历史记录部以及报警历史记录部。输送历史记录部将关于输送部输送基板的历史信息与每一基板相关联，并记录该历史信息作为第一历史信息。处理历史记录部将关于多个处理室中的每一个内的基板的处理状态的历史信息与每一被处理的基板目标相关联，并记录该历史信息作为第二历史信息。报警历史记录部将关于在输送部和处理室至少一个之内发生的报警的历史信息与每一基板相关联，并记录该历史信息作为第三历史信息。
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公开(公告)号：CN101802977A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107512.0
申请日：2008-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: G05B19/4148 , G05B2219/31418 , G05B2219/34306 , G05B2219/45031 , H01L21/67276 , Y02P70/163 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种被处理体处理系统及其控制方法。该被处理体处理系统是对被处理体进行规定处理的处理系统，其特征在于，具备对被处理体进行处理的一个或多个处理装置以及对上述处理装置进行控制的控制器，上述控制器构成为在该控制器的电源被切断时能够将构成上述处理装置的多个终端装置选择性地控制成全部停止的停止状态或一部分或全部处于准备对被处理体进行处理的待机状态中的任一种状态。
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公开(公告)号：CN1842242A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066499.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。
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公开(公告)号：CN101802977B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880107512.0
申请日：2008-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: G05B19/4148 , G05B2219/31418 , G05B2219/34306 , G05B2219/45031 , H01L21/67276 , Y02P70/163 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种被处理体处理系统及其控制方法。该被处理体处理系统是对被处理体进行规定处理的处理系统，其特征在于，具备对被处理体进行处理的一个或多个处理装置以及对上述处理装置进行控制的控制器，上述控制器构成为在该控制器的电源被切断时能够将构成上述处理装置的多个终端装置选择性地控制成全部停止的停止状态或一部分或全部处于准备对被处理体进行处理的待机状态中的任一种状态。
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公开(公告)号：CN100591190C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610066499.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。
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