公开(公告)号：CN102007588B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980113330.9

申请日：2009-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林贤一 ,  仲山阳一 ,  甲斐亘三 ,  白坂贤治

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67745 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109

Abstract: 基板载置台的降温方法使用基板(W)处理系统，该系统包括：第一基板载置台(2b)；一个以上的处理室(1b)，其在内部设置有第一基板载置台(2b)，在第一基板载置台(2b)上载置有基板(W)的状态下进行规定的处理；向处理室(1b)搬送基板(W)的基板搬送装置(31)；在内部设置有基板搬送装置(31)的搬送室；和用于冷却基板(W)的第二基板载置台(6a)。基板载置台的降温方法包括：利用基板搬送装置(31)将载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)向第二基板载置台(6a)搬送的第一移载工序；和利用基板搬送装置(31)将载置在第二基板载置台(6a)上的基板(W)向第一基板载置台(2b)搬送的第二移载工序。通过反复进行第一移载工序和第二移载工序，利用载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)吸收第一基板载置台(2b)的热，由此使第一基板载置台(2b)降温。

公开(公告)号：CN1788106A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200480013128.6

申请日：2004-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中雅之 ,  甲斐亘三 ,  村上诚志 ,  宫下哲也

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。

公开(公告)号：CN1788106B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200480013128.6

申请日：2004-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中雅之 ,  甲斐亘三 ,  村上诚志 ,  宫下哲也

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。

公开(公告)号：CN102007588A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113330.9

申请日：2009-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林贤一 ,  仲山阳一 ,  甲斐亘三 ,  白坂贤治

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67745 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109

Abstract: 基板载置台的降温方法使用基板(W)处理系统，该系统包括：第一基板载置台(2b)；一个以上的处理室(1b)，其在内部设置有第一基板载置台(2b)，在第一基板载置台(2b)上载置有基板(W)的状态下进行规定的处理；向处理室(1b)搬送基板(W)的基板搬送装置(31)；在内部设置有基板搬送装置(31)的搬送室；和用于冷却基板(W)的第二基板载置台(6a)。基板载置台的降温方法包括：利用基板搬送装置(31)将载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)向第二基板载置台(6a)搬送的第一移载工序；和利用基板搬送装置(31)将载置在第二基板载置台(6a)上的基板(W)向第一基板载置台(2b)搬送的第二移载工序。通过反复进行第一移载工序和第二移载工序，利用载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)吸收第一基板载置台(2b)的热，由此使第一基板载置台(2b)降温。