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公开(公告)号：CN104350174A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380028671.2
申请日：2013-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/58 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。
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公开(公告)号：CN102002681A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010273812.5
申请日：2010-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在可抑制模型基板的翘曲的基板处理装置中的模型基板的使用方法。其包括下述工序：对收纳于模型基板收纳部的多个模型基板的每一个，基于在工艺室进行的工艺制法，通过计算机制作含有成膜的膜的种类和膜厚的成膜履历的工序；利用按照膜的种类使膜厚和由于成膜引起的基板的曲率变化相对应的曲率数据，基于该曲率数据和模型基板的上述成膜履历通过计算机求出该模型基板的曲率的工序；和基于含有所求出的模型基板的曲率、曲率数据、包含成膜处理的膜的种类及膜厚的工艺规程，制作向工艺室的输送规程以抑制模型基板的翘曲的工序。
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公开(公告)号：CN114959604A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210132270.2
申请日：2022-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种进行溅射处理的装置和方法。在对基片进行溅射处理的装置中，在处理容器内以沿着包围中心位置的圆排列的方式配置有多个载置台，通过等离子体而从配置在这些载置台的上方位置的靶材释放靶材颗粒。从该靶材的上方侧俯视时，多个载置台配置在能够使重叠区域绕所述中心位置旋转对称的位置，该重叠区域是能够从靶材释放靶材颗粒的释放区域与多个载置台上所载置的各基片成为重叠的状态的区域。根据本发明，能够对配置在共用的处理容器内的多个基片均匀地进行溅射处理。
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公开(公告)号：CN104364417A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380029020.5
申请日：2013-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J2237/332 , C23C14/3407
Abstract: 本发明提供一种在使用由磁性材料构成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。在本发明中，构成的装置包括：由磁性材料构成的作为靶的圆筒体，其在基板的上方以该圆筒体的中心轴线从所述基板的中心轴线向沿着所述基板的面的方向偏移的方式配置；旋转机构，其用于使该圆筒体绕该圆筒体的轴线旋转；磁体排列体，其设在所述圆筒体的空洞部内；电源部，其用于对所述圆筒体施加电压。并且，在所述磁体排列体的与所述圆筒体的轴线正交的截面形状中，与该截面形状的在圆筒体的周向上的两端部相比，该截面形状的在圆筒体的周向上的中央部向该圆筒体的周面侧突出。由此，即使使用厚度比较厚的靶，也能够抑制自靶泄漏的磁场的强度降低，并且能够抑制侵蚀局部进行。
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公开(公告)号：CN103031529A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210376114.7
申请日：2012-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102332391A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110204655.7
申请日：2011-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67736
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，所解决的课题在于：当在多个处理区域中对各个基板进行真空处理时，一边抑制装置整体的覆盖区轨迹，一边抑制基板移载所需要的时间，使其变短。在负载锁定室(2a、2b)之间，将三个处理单元(11)和搬送组件(12)按照从上游一侧向下游一侧的顺序气密地排列在一列上。另外，配置用于从上游一侧向各个处理单元(11)内移载晶片(W)的晶片搬送装置(24)，并将用于从下游一端的处理单元(11)向负载锁定室(2b)移载晶片(W)的晶片搬送装置(24)设置在搬送组件(12)内。而且，同时进行从负载锁定室(2a)向上游端的处理单元(11)移载晶片(W)、从下游端的处理单元(11)向负载锁定室(2b)移载晶片(W)、和从上游一侧的处理单元(11a)向下游一侧的处理单元(11)移载晶片(W)。
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公开(公告)号：CN115461489A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180030110.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及PVD装置。PVD装置具备：腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶，该靶暴露在腔室内的空间，并针对一个载置台设置至少一个。电力供给机构经由第一靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置于腔室内，一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间、以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。
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公开(公告)号：CN114730727A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080931.0
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 提供一种输送基板的基板输送装置。本公开的一技术方案的基板输送装置包括：平面马达，其设于输送室，并具有排列着的线圈；输送单元，其在所述平面马达上移动；以及控制部，其控制所述线圈的通电，所述输送单元包括：两个基座，其具有排列着的磁体，并在所述平面马达上移动；基板支承构件，其用于支承基板；以及连杆机构，其将所述基板支承构件和两个所述基座连结。
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公开(公告)号：CN114174552A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080055400.6
申请日：2020-07-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的成膜装置包括：处理容器；在处理容器内保持基片的基片保持部；配置于基片保持部的上方的阴极单元；和对处理容器内导入等离子体生成气体的气体导入机构。阴极单元包括：靶材；对靶材供给电功率的电源；设置于靶材的背面侧的磁体；和驱动磁体的磁体驱动部，磁体驱动部具有使磁体沿着靶材摆动的摆动驱动部和垂直驱动部，该垂直驱动部以独立于由摆动驱动部进行的驱动的方式在与靶材的主面垂直的方向上驱动磁体，通过磁控溅射使溅射颗粒沉积在基片上。
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公开(公告)号：CN104350174B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201380028671.2
申请日：2013-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/58 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。
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