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公开(公告)号：CN113366139A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201980090999.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 成膜装置具备：处理容器；基板保持部，其在处理容器内保持基板；靶电极，其配置于基板保持部的上方，用于保持由金属构成的靶，并向靶提供来自电源的电力；氧化气体导入机构，其向基板供给氧化气体；以及气体供给部，其向靶配置空间供给非活性气体。从靶发射出该靶的构成金属来作为溅射粒子以在基板上沉积金属膜，通过从氧化气体导入机构导入的氧化气体对金属膜进行氧化来形成金属氧化膜。在氧化气体被导入时，气体供给部向靶配置空间供给非活性气体，使该靶配置空间的压力与处理空间的压力相比成为正压。
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公开(公告)号：CN104350174A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380028671.2
申请日：2013-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/58 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。
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公开(公告)号：CN104364417A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380029020.5
申请日：2013-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J2237/332 , C23C14/3407
Abstract: 本发明提供一种在使用由磁性材料构成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。在本发明中，构成的装置包括：由磁性材料构成的作为靶的圆筒体，其在基板的上方以该圆筒体的中心轴线从所述基板的中心轴线向沿着所述基板的面的方向偏移的方式配置；旋转机构，其用于使该圆筒体绕该圆筒体的轴线旋转；磁体排列体，其设在所述圆筒体的空洞部内；电源部，其用于对所述圆筒体施加电压。并且，在所述磁体排列体的与所述圆筒体的轴线正交的截面形状中，与该截面形状的在圆筒体的周向上的两端部相比，该截面形状的在圆筒体的周向上的中央部向该圆筒体的周面侧突出。由此，即使使用厚度比较厚的靶，也能够抑制自靶泄漏的磁场的强度降低，并且能够抑制侵蚀局部进行。
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公开(公告)号：CN113832438A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110652860.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。不用事先对靶进行加工，就能够判断靶的更换时刻。一种成膜装置，其利用磁控溅射法在基板上形成膜，其中，该成膜装置具有：基板保持部，其保持基板；保持件，其以强磁性材料的靶朝向所述基板保持部的方式保持该靶；磁体单元，其设于所述保持件的与所述基板保持部相反的一侧，向被所述保持件保持的所述靶的所述基板保持部侧泄漏磁场；以及磁场强度测量部件，其测量所述磁场的强度。
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公开(公告)号：CN104350174B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201380028671.2
申请日：2013-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/58 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。
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