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公开(公告)号：CN104364417A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380029020.5
申请日：2013-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J2237/332 , C23C14/3407
Abstract: 本发明提供一种在使用由磁性材料构成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。在本发明中，构成的装置包括：由磁性材料构成的作为靶的圆筒体，其在基板的上方以该圆筒体的中心轴线从所述基板的中心轴线向沿着所述基板的面的方向偏移的方式配置；旋转机构，其用于使该圆筒体绕该圆筒体的轴线旋转；磁体排列体，其设在所述圆筒体的空洞部内；电源部，其用于对所述圆筒体施加电压。并且，在所述磁体排列体的与所述圆筒体的轴线正交的截面形状中，与该截面形状的在圆筒体的周向上的两端部相比，该截面形状的在圆筒体的周向上的中央部向该圆筒体的周面侧突出。由此，即使使用厚度比较厚的靶，也能够抑制自靶泄漏的磁场的强度降低，并且能够抑制侵蚀局部进行。
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公开(公告)号：CN114381700B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111126707.3
申请日：2021-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置和磁控溅射方法。磁控溅射装置包括：真空容器；多个溅射机构，其分别包括靶材、磁体排列体和使磁体排列体在第一位置与第二位置之间往复移动的移动机构；电源，为了利用被选择的溅射机构在基片上进行成膜，而向上述靶材供给电功率来形成等离子体；向上述真空容器内供给用于形成上述等离子体的气体的气体供给部；和控制部，在进行上述成膜时输出控制信号，使得俯视时彼此的上述磁体排列体的移动路径的延长线交叉的上述被选择的溅射机构的该磁体排列体与上述未选择的溅射机构的该磁体排列体以彼此不靠近的方式同步地移动。根据本发明，在进行磁控溅射处理时，能够抑制为了形成等离子体而施加于靶材的电压的变动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114381700A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111126707.3
申请日：2021-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置和磁控溅射方法。磁控溅射装置包括：真空容器；多个溅射机构，其分别包括靶材、磁体排列体和使磁体排列体在第一位置与第二位置之间往复移动的移动机构；电源，为了利用被选择的溅射机构在基片上进行成膜，而向上述靶材供给电功率来形成等离子体；向上述真空容器内供给用于形成上述等离子体的气体的气体供给部；和控制部，在进行上述成膜时输出控制信号，使得俯视时彼此的上述磁体排列体的移动路径的延长线交叉的上述被选择的溅射机构的该磁体排列体与上述未选择的溅射机构的该磁体排列体以彼此不靠近的方式同步地移动。根据本发明，在进行磁控溅射处理时，能够抑制为了形成等离子体而施加于靶材的电压的变动。
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公开(公告)号：CN110313077A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012792.0
申请日：2018-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L43/12 , C23C14/58 , H01L21/26 , H01L21/324 , H01L21/677 , H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: 一个实施方式中的基片处理装置(10)和处理系统(100)对具有磁性层的基片(W)进行单片式处理，包括：支承基片的支承部(PP)；加热由支承部支承的基片的加热部(HT)；冷却由支承部支承的基片的冷却部(CR)；用于产生磁场的磁铁部(2)；和收纳支承部、加热部及冷却部的处理容器(1)，磁铁部包括彼此平行地延伸的第一端面(2a1)和第二端面(2b1)，第一端面与第二端面隔开间隔地相对，第一端面对应于磁铁部的第一磁极，第二端面对应于磁铁部的第二磁极，处理容器配置在第一端面与第二端面之间。
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公开(公告)号：CN104350174A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380028671.2
申请日：2013-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/58 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。
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公开(公告)号：CN113832438A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110652860.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。不用事先对靶进行加工，就能够判断靶的更换时刻。一种成膜装置，其利用磁控溅射法在基板上形成膜，其中，该成膜装置具有：基板保持部，其保持基板；保持件，其以强磁性材料的靶朝向所述基板保持部的方式保持该靶；磁体单元，其设于所述保持件的与所述基板保持部相反的一侧，向被所述保持件保持的所述靶的所述基板保持部侧泄漏磁场；以及磁场强度测量部件，其测量所述磁场的强度。
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公开(公告)号：CN104350174B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201380028671.2
申请日：2013-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/58 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。
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