磁性退火装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104060074B

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201410108338.9

    申请日:2014-03-21

    CPC classification number: H01L21/67781 G11C11/16 H01L21/67754

    Abstract: 本发明的磁性退火装置使用卧式的超导磁体作为磁场产生部件,对保持于被处理体保持部件的被处理体进行磁性退火处理,该磁性退火装置包括:收纳容器,其用于收纳磁性退火处理前的上述被处理体;以及被处理体输送机构,其用于将保持于上述收纳容器的上述被处理体输送到上述被处理体保持部件;上述被处理体输送机构能够将上述被处理体保持为水平状态,并且也能够将上述被处理体保持为铅垂状态。

    磁性退火装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104060074A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410108338.9

    申请日:2014-03-21

    CPC classification number: H01L21/67781 G11C11/16 H01L21/67754

    Abstract: 本发明的磁性退火装置使用卧式的超导磁体作为磁场产生部件,对保持于被处理体保持部件的被处理体进行磁性退火处理,该磁性退火装置包括:收纳容器,其用于收纳磁性退火处理前的上述被处理体;以及被处理体输送机构,其用于将保持于上述收纳容器的上述被处理体输送到上述被处理体保持部件;上述被处理体输送机构能够将上述被处理体保持为水平状态,并且也能够将上述被处理体保持为铅垂状态。

    成膜装置和成膜方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113293360A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110096134.8

    申请日:2021-01-25

    Abstract: 本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供能够形成高品质的半导体膜的技术。本公开的一技术方案的成膜装置具有:旋转台,其设于真空容器内;载置台,其沿着所述旋转台的周向设置,用于载置基板;处理区域,在该处理区域,朝向所述旋转台的上表面供给处理气体;热处理区域,其沿着所述旋转台的周向与所述处理区域分离开地配置,在该热处理区域,以比所述处理区域的温度高的温度对所述基板进行热处理;以及冷却区域,其沿着所述旋转台的周向与所述热处理区域分离开地配置,在该冷却区域,冷却所述基板。

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