公开(公告)号：CN112655071B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201980058184.8

申请日：2019-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本康介 ,  福留誉司 ,  板桥贤 ,  伏见直茂 ,  松崎和爱

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

Abstract: 提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。

公开(公告)号：CN112655071A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201980058184.8

申请日：2019-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本康介 ,  福留誉司 ,  板桥贤 ,  伏见直茂 ,  松崎和爱

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

Abstract: 提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。

公开(公告)号：CN117293051A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310702566.8

申请日：2023-06-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  佐佐木丰 ,  高桥真实 ,  石井亨 ,  伏见直茂 ,  吉井弘治

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种能够提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。一种基片处理装置，其包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的冷却气体的冷却气体喷射部。

公开(公告)号：CN109390253A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810901188.5

申请日：2018-08-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伏见直茂

IPC: H01L21/67 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种减压干燥装置，其进行基板上的溶剂的减压干燥处理和来自溶剂捕集部的溶剂的脱离处理两者，用简单的装置结构缩短上述减压干燥处理的时间和上述脱离处理的时间并均匀地干燥基板。减压干燥装置(1)包括：腔室(10)，其在底板(13)设置有排气口，收纳涂敷有溶液的基板；和每1m2的热容为850J/K·m2以下的溶剂捕集部件，其在该腔室(10)内设置于顶板(12)与基板(W)之间，暂时地捕集从基板气化的溶液中的溶剂，该减压干燥装置在腔室内使基板(W)上的溶液在减压状态下干燥。减压干燥装置(1)还包括遮挡部件(14)，其从顶板(12)延伸，遮挡在溶剂捕集网(31)的侧端与腔室(10)的侧壁之间。