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公开(公告)号：CN113451198A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110266661.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供恰当地控制用于载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。该基板载置台具有：载置台主体，在该载置台主体的内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，该供给流路形成构件由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却面喷射制冷剂的冷却喷嘴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451198B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110266661.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供恰当地控制用于载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。该基板载置台具有：载置台主体，在该载置台主体的内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，该供给流路形成构件由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却面喷射制冷剂的冷却喷嘴。
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公开(公告)号：CN106252268B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201610422960.6
申请日：2016-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。在处理容器内将多张晶圆(W1～W5)载置于旋转台(14)上，一边使旋转台(14)以轴线(P)为中心旋转一边对晶圆(W1～W5)进行成膜处理。在载置于旋转台(14)上的晶圆(W1～W5)之间的间隙配置仿真的被处理体(OD、ID)。
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公开(公告)号：CN112655071B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980058184.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。
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公开(公告)号：CN112655071A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058184.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。
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公开(公告)号：CN106252268A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610422960.6
申请日：2016-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/45542 , C23C16/4584 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J2237/3323 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/683 , C23C16/45525 , C23C16/45544
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。在处理容器内将多张晶圆(W1～W5)载置于旋转台(14)上，一边使旋转台(14)以轴线(P)为中心旋转一边对晶圆(W1～W5)进行成膜处理。在载置于旋转台(14)上的晶圆(W1～W5)之间的间隙配置仿真的被处理体(OD、ID)。
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