-
公开(公告)号：CN103229280A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180055047.2
申请日：2011-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3244
Abstract: 一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。第二气体的入口距离载置台的高度低于第一气体的入口距离载置台的高度。
-
公开(公告)号：CN102792427A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013454.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01J23/36 , H01J9/44 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 在等离子体处理装置用电介质窗（41）中，在生成等离子体的一侧的面的径向外侧区域，设置有排列成环状、向电介质窗（41）的板厚方向内侧凹入成锥形状的第一电介质窗凹部（47）。在第一电介质窗凹部（47）的径向内侧区域，设置有从生成等离子体的一侧的面朝向电介质窗（41）的板厚方向内侧凹入的多个第二电介质窗凹部（53a～53g）。多个第二电介质窗凹部（53a～53g），以电介质窗（41）的径向的中心（56）为中心具有旋转对称性地分别在周向上隔开间隔地配置。
-
公开(公告)号：CN106252268B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201610422960.6
申请日：2016-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。在处理容器内将多张晶圆(W1～W5)载置于旋转台(14)上，一边使旋转台(14)以轴线(P)为中心旋转一边对晶圆(W1～W5)进行成膜处理。在载置于旋转台(14)上的晶圆(W1～W5)之间的间隙配置仿真的被处理体(OD、ID)。
-
公开(公告)号：CN101505574A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910006920.3
申请日：2009-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电解质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。
-
公开(公告)号：CN104054163B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280066942.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L29/4916 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659
Abstract: 在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104054163A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280066942.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L29/4916 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659
Abstract: 在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。
-
公开(公告)号：CN102005381B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010273923.6
申请日：2010-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C30B33/12
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/513 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置。在用于将处理气体导入到处理容器中的导入部中抑制碳系附作物的产生。本发明的等离子体处理装置(1)将被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子体化以对衬底(W)进行处理，其中，在处理容器(2)的顶面上设有处理气体导入部(55)，在导入部(55)形成有气体滞留部(61)和多个喷气孔(66)，其中，气体滞留部(61)滞留从处理容器(2)的外部经由供应路径(52)提供的处理气体，喷气孔(66)连通气体滞留部(61)和处理容器(2)内部，在气体滞留部(61)中，与供应路径(52)的开口部(52a)相对的位置上没有设置喷气孔(66)，喷气孔(66)的截面为扁平形状。
-
公开(公告)号：CN101521980B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910005390.0
申请日：2009-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32568 , H01J2237/3343 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，适于进行等离子体处理。等离子体处理装置(11)具备：保持台(14)，配置于处理容器(12)内，在其上保持半导体基板(W)；电介质板(16)，配置于与保持台(14)相面对的位置，将微波导入处理容器(12)内；等离子体点火单元，在利用所导入的微波在处理容器(12)内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器(12)内产生等离子体；控制部(20)，包含升降机构(18)，以进行将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为与第一间隔不同的第二间隔，进行对半导体基板(W)的等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN101521980A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005390.0
申请日：2009-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32568 , H01J2237/3343 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，适于进行等离子体处理。等离子体处理装置(11)具备：保持台(14)，配置于处理容器(12)内，在其上保持半导体基板(W)；电介质板(16)，配置于与保持台(14)相面对的位置，将微波导入处理容器(12)内；等离子体点火单元，在利用所导入的微波在处理容器(12)内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器(12)内产生等离子体；控制部(20)，包含升降机构(18)，以进行将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为与第一间隔不同的第二间隔，进行对半导体基板(W)的等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN102867725B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210235937.8
申请日：2012-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环状的第一凹部包围；和第二凹部（153），其以包围平坦面（146）的重心位置的方式在平坦面（146）内形成多个。当从与槽板的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部（153）的重心位置重叠位于槽板（20）中的各个槽（133）内。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.019 seconds)
