公开(公告)号：CN114267585A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111073002.X

申请日：2021-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥慎伍 ,  山谷将吾

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内生成处理气体的等离子体。等离子体在腔室内具有下部电极的基板支承器上载置有基板的状态下生成。基板具有膜和掩模。掩模设置于膜上。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过将负的直流电压的脉冲周期性地施加到下部电极以将来自等离子体的离子供给至基板来对膜进行蚀刻。在工序(b)中，脉冲的电压的电平至少变更一次，以使基板的负的电位的绝对值具有随着膜的蚀刻的进行而增加的倾向。

公开(公告)号：CN101505574A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910006920.3

申请日：2009-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  吉川润 ,  佐佐木胜 ,  加藤和行 ,  四方政史 ,  高桥慎伍

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电解质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。

公开(公告)号：CN116803213B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202280011558.2

申请日：2022-01-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥慎伍 ,  黄仁宏

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、高频电源和偏置电源。基片支承器包含电极且设置于腔室内。高频电源构成为能够供给高频功率以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源与基片支承器的电极电连接。高频电源构成为能够在腔室内等离子体被点火的点火期间中供给高频功率。偏置电源构成为能够在点火期间中，将各自为负电压的多个偏置脉冲依次施加到基片支承器的电极，使多个偏置脉冲的电压水平的绝对值阶梯地或逐渐增加。

公开(公告)号：CN115410891A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210570827.0

申请日：2022-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  佐佐木纯 ,  松本和也 ,  高桥慎伍 ,  永海幸一

IPC: H01J37/32

Abstract: 所公开的等离子体处理装置具备腔室、静电卡盘、第1供电线、及第2供电线。静电卡盘包括在其上搭载基板的第1区域及在其上搭载边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极。第2区域包括第2电极。第1供电线将产生施加到第1电极的电压的脉冲的偏置电源和第1电极彼此连接。第2供电线将产生施加到第2电极的电压的脉冲的偏置电源和第2电极彼此连接。第2供电线包括一个以上的插座及一个以上的供电引脚。一个以上的供电引脚在径向上具有挠性，并嵌入于一个以上的插座内。

公开(公告)号：CN101505574B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910006920.3

申请日：2009-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  吉川润 ,  佐佐木胜 ,  加藤和行 ,  四方政史 ,  高桥慎伍

IPC: H05H1/46

Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电介质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。

公开(公告)号：CN116803213A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280011558.2

申请日：2022-01-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥慎伍 ,  黄仁宏

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、高频电源和偏置电源。基片支承器包含电极且设置于腔室内。高频电源构成为能够供给高频功率以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源与基片支承器的电极电连接。高频电源构成为能够在腔室内等离子体被点火的点火期间中供给高频功率。偏置电源构成为能够在点火期间中，将各自为负电压的多个偏置脉冲依次施加到基片支承器的电极，使多个偏置脉冲的电压水平的绝对值阶梯地或逐渐增加。