公开(公告)号：CN116803213B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202280011558.2

申请日：2022-01-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥慎伍 ,  黄仁宏

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、高频电源和偏置电源。基片支承器包含电极且设置于腔室内。高频电源构成为能够供给高频功率以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源与基片支承器的电极电连接。高频电源构成为能够在腔室内等离子体被点火的点火期间中供给高频功率。偏置电源构成为能够在点火期间中，将各自为负电压的多个偏置脉冲依次施加到基片支承器的电极，使多个偏置脉冲的电压水平的绝对值阶梯地或逐渐增加。

公开(公告)号：CN116803213A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280011558.2

申请日：2022-01-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥慎伍 ,  黄仁宏

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、高频电源和偏置电源。基片支承器包含电极且设置于腔室内。高频电源构成为能够供给高频功率以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源与基片支承器的电极电连接。高频电源构成为能够在腔室内等离子体被点火的点火期间中供给高频功率。偏置电源构成为能够在点火期间中，将各自为负电压的多个偏置脉冲依次施加到基片支承器的电极，使多个偏置脉冲的电压水平的绝对值阶梯地或逐渐增加。