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公开(公告)号：CN101505574B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910006920.3
申请日：2009-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电介质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103003924B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180032082.2
申请日：2011-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/3065 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及方法。利用分流器（44）将自共用气体源（41）供给的共用气体分支成两个系统，将分支成两个系统的共用气体导入至设于处理容器（2）的电介质窗（16）的中央的中央导入口58（55）和在基板（W）的上方沿周向排列的多个周边导入口（62）。将添加气体添加至分支成两个系统的共用气体之中的任一系统的共用气体。自基板（W）的下方的排气口（11a）对被导入至处理容器（2）内的共用气体和添加气体进行排气，将处理容器（2）内减压至规定的压力。使用具有多个缝隙（21）的缝隙天线（20）将微波导入至处理容器（2）内，多个周边导入口（62）所设置的区域的电子温度比中央导入口（58、55）所设置的区域的电子温度低。
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公开(公告)号：CN101505574A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910006920.3
申请日：2009-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电解质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。
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公开(公告)号：CN103003924A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180032082.2
申请日：2011-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/3065 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及方法。利用分流器（44）将自共用气体源（41）供给的共用气体分支成两个系统，将分支成两个系统的共用气体导入至设于处理容器（2）的电介质窗（16）的中央的中央导入口58（55）和在基板（W）的上方沿周向排列的多个周边导入口（62）。将添加气体添加至分支成两个系统的共用气体之中的任一系统的共用气体。自基板（W）的下方的排气口（11a）对被导入至处理容器（2）内的共用气体和添加气体进行排气，将处理容器（2）内减压至规定的压力。使用具有多个缝隙（21）的缝隙天线（20）将微波导入至处理容器（2）内，多个周边导入口（62）所设置的区域的电子温度比中央导入口（58、55）所设置的区域的电子温度低。
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公开(公告)号：CN102084469B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200980125715.7
申请日：2009-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/511 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/6719 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67126 , H01L21/68785
Abstract: 等离子体处理装置(11)具备：在其内部对被处理基板W进行等离子体处理的处理容器(12)；配置在处理容器(12)内且将被处理基板(W)保持在其上面的保持台(14)；被设置在与保持台(14)对置的位置，并且将微波向处理容器(12)内导入的电介质板(16)；向被保持在保持台(14)上的被处理基板(W)的中央区域供应等离子体处理用的反应气体的反应气体供应部(13)。这里，反应气体供应部(13)包含喷射器基座(61)，该喷射器基座(61)被配置在比与保持台(14)对置的呈相对面的电介质板(16)的下表面63向电介质板(16)的内侧后缩的位置。在喷射器基座(61)中设置有将等离子体处理用的反应气体向处理容器(12)内供应的供应孔(66)。
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公开(公告)号：CN102084469A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125715.7
申请日：2009-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/511 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/6719 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67126 , H01L21/68785
Abstract: 等离子体处理装置(11)具备：在其内部对被处理基板W进行等离子体处理的处理容器(12)；配置在处理容器(12)内且将被处理基板(W)保持在其上面的保持台(14)；被设置在与保持台(14)对置的位置，并且将微波向处理容器(12)内导入的电介质板(16)；向被保持在保持台(14)上的被处理基板(W)的中央区域供应等离子体处理用的反应气体的反应气体供应部(13)。这里，反应气体供应部(13)包含喷射器基座(61)，该喷射器基座(61)被配置在比与保持台(14)对置的呈相对面的电介质板(16)的下表面63向电介质板(16)的内侧后缩的位置。在喷射器基座(61)中设置有将等离子体处理用的反应气体向处理容器(12)内供应的供应孔(66)。
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