公开(公告)号：CN102473634A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080036920.9

申请日：2010-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小津俊久 ,  松本直树 ,  塚本刚史 ,  高井和人

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置提高了基板表面的等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置(1)用于使被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子化来处理基板(W)，其中，被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的周边部的处理气体的导入量之比在等离子体处理过程中发生变化。采用本发明，能够减小基板(W)的中心部和周边部的蚀刻速率(ER)等的偏差。因此，基板(W)表面的等离子体处理的均匀性提高。

公开(公告)号：CN102084469B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200980125715.7

申请日：2009-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  加藤和行 ,  四方政史 ,  高井和人

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68785

Abstract: 等离子体处理装置(11)具备：在其内部对被处理基板W进行等离子体处理的处理容器(12)；配置在处理容器(12)内且将被处理基板(W)保持在其上面的保持台(14)；被设置在与保持台(14)对置的位置，并且将微波向处理容器(12)内导入的电介质板(16)；向被保持在保持台(14)上的被处理基板(W)的中央区域供应等离子体处理用的反应气体的反应气体供应部(13)。这里，反应气体供应部(13)包含喷射器基座(61)，该喷射器基座(61)被配置在比与保持台(14)对置的呈相对面的电介质板(16)的下表面63向电介质板(16)的内侧后缩的位置。在喷射器基座(61)中设置有将等离子体处理用的反应气体向处理容器(12)内供应的供应孔(66)。

公开(公告)号：CN102473634B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201080036920.9

申请日：2010-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小津俊久 ,  松本直树 ,  塚本刚史 ,  高井和人

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置提高了基板表面的等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置(1)用于使被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子化来处理基板(W)，其中，被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的周边部的处理气体的导入量之比在等离子体处理过程中发生变化。采用本发明，能够减小基板(W)的中心部和周边部的蚀刻速率(ER)等的偏差。因此，基板(W)表面的等离子体处理的均匀性提高。

公开(公告)号：CN102084469A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125715.7

申请日：2009-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  加藤和行 ,  四方政史 ,  高井和人

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68785

Abstract: 等离子体处理装置(11)具备：在其内部对被处理基板W进行等离子体处理的处理容器(12)；配置在处理容器(12)内且将被处理基板(W)保持在其上面的保持台(14)；被设置在与保持台(14)对置的位置，并且将微波向处理容器(12)内导入的电介质板(16)；向被保持在保持台(14)上的被处理基板(W)的中央区域供应等离子体处理用的反应气体的反应气体供应部(13)。这里，反应气体供应部(13)包含喷射器基座(61)，该喷射器基座(61)被配置在比与保持台(14)对置的呈相对面的电介质板(16)的下表面63向电介质板(16)的内侧后缩的位置。在喷射器基座(61)中设置有将等离子体处理用的反应气体向处理容器(12)内供应的供应孔(66)。