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公开(公告)号：CN114267585A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111073002.X
申请日：2021-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内生成处理气体的等离子体。等离子体在腔室内具有下部电极的基板支承器上载置有基板的状态下生成。基板具有膜和掩模。掩模设置于膜上。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过将负的直流电压的脉冲周期性地施加到下部电极以将来自等离子体的离子供给至基板来对膜进行蚀刻。在工序(b)中，脉冲的电压的电平至少变更一次，以使基板的负的电位的绝对值具有随着膜的蚀刻的进行而增加的倾向。
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