公开(公告)号：CN101982563A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN201010543269.6

申请日：2006-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森田治

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/24

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明是一种等离子体处理装置，包括：处理容器，具有：其中生成等离子体的等离子体生成空间，和其中放置基板且基板进行等离子体处理的处理空间；气体供应板，其被设置在处理容器中以将处理容器中的等离子体生成空间和处理空间分开；处理气体供应孔，其被设置在气体供应板中，用于将处理气体供应至处理容器中；多个开口，其被设置在气体供应板中，用于将等离子体生成空间与处理空间连通；和传热元件，其从气体供应板的中央区域延伸到气体供应板的外周区域，传热元件的传热速率高于形成气体供应板的材料的传热速率。

公开(公告)号：CN1902737A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480040080.8

申请日：2004-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

Abstract: 在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器(2)的一部分而形成雾流路(5)。设置有用于发生雾的雾发生器(64)和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源(62)。利用温度传感器(49)检测出作为冷却对象的部位的温度。当检测温度高于规定温度时，在雾流路中例如流入水的雾，利用其汽化热来冷却处理容器。因此，能够快速降低处理容器的温度，在稳定的温度环境下进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN102760632B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210125069.8

申请日：2012-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  石桥清隆 ,  森田治 ,  谷川雄洋 ,  松本直树 ,  三原直辉 ,  吉川弥

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。

公开(公告)号：CN100561680C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200380101022.7

申请日：2003-10-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森田治

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458

Abstract: 本发明的目的是使电介质板支撑部和金属制容器的损伤降低到最低限并谋求提高等离子体处理效率。在本发明，在电介质板和处理容器的对向区域配置有树脂层，据此，可以抑制因电介质板和金属制处理容器之间的热膨胀率差产生的粒子、损伤，此外，抑制在电介质板的边缘部等的电场边界部上局部放电的发生，提高氧化膜成膜的等离子体处理效率。

公开(公告)号：CN103805947A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310552626.9

申请日：2013-11-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田绅治 ,  森田治

IPC: C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明能够避免相邻的蒸镀头彼此的蒸气的混入并且抑制排气效率的降低。本发明的成膜装置具备处理容器、搬运机构、多个蒸镀头、分隔壁和排气机构。处理容器区划出用于处理基板的处理室。搬运机构在处理室中，在沿着规定方向延伸的搬运路径上搬运基板。多个蒸镀头沿着规定方向配置于处理室，向由搬运机构在搬运路径上搬运的基板的成膜面喷射含有蒸镀材料的蒸气的气体。排气机构经由设置于各收纳室的排气口与各收纳室连接，对蒸镀头的周围进行排气。

公开(公告)号：CN102760632A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210125069.8

申请日：2012-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  石桥清隆 ,  森田治 ,  谷川雄洋 ,  松本直树 ,  三原直辉 ,  吉川弥

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。

公开(公告)号：CN100440451C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200480040080.8

申请日：2004-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

Abstract: 在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器(2)的一部分而形成雾流路(5)。设置有用于发生雾的雾发生器(64)和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源(62)。利用温度传感器(49)检测出作为冷却对象的部位的温度。当检测温度高于规定温度时，在雾流路中例如流入水的雾，利用其汽化热来冷却处理容器。因此，能够快速降低处理容器的温度，在稳定的温度环境下进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN101218860A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024611.3

申请日：2006-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森田治

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明是一种等离子体处理装置，包括：处理容器，具有：其中使处理气体成为等离子体的等离子体生成空间，和其中放置基板且基板进行等离子体处理的处理空间；气体供应板，其被设置在处理容器中以将处理容器中的等离子体生成空间和处理空间分开；处理气体供应孔，其被设置在气体供应板中，用于将处理气体供应至处理容器中；多个开口，其被设置在气体供应板中，用于将等离子体生成空间与处理空间连通；和传热元件，其从气体供应板的中央区域延伸到气体供应板的外周区域，传热元件的传热速率高于形成气体供应板的材料的传热速率。

公开(公告)号：CN103429783A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014151.1

申请日：2012-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野裕司 ,  林辉幸 ,  桑田拓岳 ,  森田治

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  H01L51/50

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22 ,  H01L51/5076 ,  H01L2251/5346

Abstract: 本发明提供能够进行期望的共蒸镀的成膜装置、成膜方法、有机发光元件的制造方法和有机发光元件。成膜装置的成膜头包括将有机成膜材料的蒸气向被处理基板（G）喷出的有机成膜材料供给部（4）、和将无机成膜材料的蒸气向被处理基板（G）喷出的无机成膜材料供给部（5）。有机成膜材料供给部（4）、无机成膜材料供给部（5）构成为能够在水平方向和垂直方向上移动，且配置被控制使得以从喷出口（41a、51a）喷出的有机材料、无机材料的混合比例在厚度方向上不同的状态进行成膜。

公开(公告)号：CN102484939A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037151.4

申请日：2010-08-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  森田治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 等离子体处理装置(11)所具备的微波供给单元(20)具备短截线部件(51)，该短截线部件，作为使内导体(32)的外周面(36)的一部分与在径向与内导体(32)的外周面的一部分相对的相对部在此为冷却板突出部(47)在径向的距离变更的变更单元，能够从外导体(33)侧向内导体(32)侧延伸出。短截线部件(51)包括：在外导体(33)侧被支承，且设置为在径向延伸的棒状部(52)；和作为对棒状部(52)的径向的移动量进行调整的移动量调整部件的螺钉部(53)。