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公开(公告)号：CN113345788A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110571547.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN111341637A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911273989.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够将具有所需离子能量的离子高效地供给至基片的等离子体处理装置。一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，第1高频电源经由第1匹配器与设置于腔室内的基片支承台的下部电极连接。第1高频电源将偏置用的第1高频功率向下部电极供给。第2高频电源经由第2匹配器与负载连接。第2高频电源将等离子体生成用的第2高频功率向负载供给。第2匹配器的控制器为了减少第1高频功率的各周期内的被指定的部分期间中的来自第2高频电源的负载的反射，设定所述第2匹配器的匹配电路的阻抗。
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公开(公告)号：CN107452589B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710327016.7
申请日：2017-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种不扩大离子能的分布地控制离子能、在低压且低等离子体密度的环境下稳定地维持等离子体的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(10)具有处理容器(12)、载波群生成部(62)以及下部电极(LE)。载波群生成部(62)生成载波群，该载波群在频域中包括频率不同的多个载波，在时域中通过第一峰值部分与绝对值比第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示。下部电极(LE)使用载波群来在处理容器(12)内生成等离子体。
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公开(公告)号：CN110323121A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910738763.9
申请日：2016-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: H01J37/32
Abstract: 等离子体处理装置包括：处理容器；载波组生成部，其生成由分别具有彼此不同的频率的多个载波构成的载波组，其中上述频率属于以规定的中心频率为中心的规定的频带；和使用载波组在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部。
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公开(公告)号：CN109767967A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317768.6
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。在一个实施方式的基板处理方法中使用基板处理装置。基板处理装置具有腔室主体、支承台以及电子束发生器。在腔室主体中提供内部空间。支承台构成为支承被载置在该支承台上的基板。支承台具有电极。在支承台上载置有基板的状态下执行基板处理方法。在基板处理方法中，从电子束发生器向内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到内部空间的处理气体中的分子来生成负离子。向支承台的电极施加正极性的偏压，以将负离子向基板吸引。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119153304A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411261847.5
申请日：2019-12-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，脉冲状的负极性的直流电压被周期性地施加到下部电极。规定脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的周期的频率低于为了生成等离子体而被供给的高频电力的频率。高频电力在周期内的第1部分期间内供给。周期内的第2部分期间的高频电力的功率电平被设定为从第1部分期间的高频电力的功率电平减少的功率电平。
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公开(公告)号：CN113228830B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980087489.1
申请日：2019-12-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，脉冲状的负极性的直流电压被周期性地施加到下部电极。规定脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的周期的频率低于为了生成等离子体而被供给的高频电力的频率。高频电力在周期内的第1部分期间内供给。周期内的第2部分期间的高频电力的功率电平被设定为从第1部分期间的高频电力的功率电平减少的功率电平。
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公开(公告)号：CN111819664B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980017608.6
申请日：2019-07-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种具有能够载置被处理体的第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的等离子体处理装置的控制方法，其具有：向所述第一电极供给偏置功率的步骤；和向所述第二电极供给负直流电压的步骤，所述负直流电压周期性地反复取第一电压值的第一状态和取绝对值小于所述第一电压值的第二电压值的第二状态，所述控制方法包括第一控制步骤，在与所述偏置功率的高频周期同步的信号的各周期内的部分期间，或者在所述偏置功率的传输路径上所测量的周期性地变动的参数的各周期内的部分期间施加所述第一状态的所述负直流电压，且与所述第一状态相连续地施加所述第二状态的所述负直流电压。
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公开(公告)号：CN111524782B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010070561.4
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
Abstract: 在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高频电力。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的期间，停止供应高频电力。一个以上的脉冲中的每一个具有从其开始时刻到其峰值出现的时刻为止逐渐增加的功率级。
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公开(公告)号：CN116387129A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310348168.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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