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公开(公告)号：CN113345788A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110571547.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN109411322B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810939779.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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公开(公告)号：CN111341637A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911273989.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够将具有所需离子能量的离子高效地供给至基片的等离子体处理装置。一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，第1高频电源经由第1匹配器与设置于腔室内的基片支承台的下部电极连接。第1高频电源将偏置用的第1高频功率向下部电极供给。第2高频电源经由第2匹配器与负载连接。第2高频电源将等离子体生成用的第2高频功率向负载供给。第2匹配器的控制器为了减少第1高频功率的各周期内的被指定的部分期间中的来自第2高频电源的负载的反射，设定所述第2匹配器的匹配电路的阻抗。
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公开(公告)号：CN113451101B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110659565.0
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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公开(公告)号：CN111819664B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980017608.6
申请日：2019-07-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种具有能够载置被处理体的第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的等离子体处理装置的控制方法，其具有：向所述第一电极供给偏置功率的步骤；和向所述第二电极供给负直流电压的步骤，所述负直流电压周期性地反复取第一电压值的第一状态和取绝对值小于所述第一电压值的第二电压值的第二状态，所述控制方法包括第一控制步骤，在与所述偏置功率的高频周期同步的信号的各周期内的部分期间，或者在所述偏置功率的传输路径上所测量的周期性地变动的参数的各周期内的部分期间施加所述第一状态的所述负直流电压，且与所述第一状态相连续地施加所述第二状态的所述负直流电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387129A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310348168.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN111886935B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980017588.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN111341637B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911273989.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够将具有所需离子能量的离子高效地供给至基片的等离子体处理装置。一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，第1高频电源经由第1匹配器与设置于腔室内的基片支承台的下部电极连接。第1高频电源将偏置用的第1高频功率向下部电极供给。第2高频电源经由第2匹配器与负载连接。第2高频电源将等离子体生成用的第2高频功率向负载供给。第2匹配器的控制器为了减少第1高频功率的各周期内的被指定的部分期间中的来自第2高频电源的负载的反射，设定所述第2匹配器的匹配电路的阻抗。
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公开(公告)号：CN111048389B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201910958296.0
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中，包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，在第二期间内第一高频功率被供给到基片支承台的下部电极，在第一期间内停止对下部电极供给第一高频功率，在第二期间内的第一高频功率的各周期内作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率，第二高频功率具有比第一高频功率的频率高的频率。本发明能够设定蚀刻中使用的离子的能量。
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公开(公告)号：CN111524781B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010070264.X
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一例示性实施方式所涉及的高频电源具备构成为产生高频电力的发电机。高频电力包含多个电力成分。多个电力成分分别具有以指定频率的间隔相对于基本频率对称设定的多个频率。高频电力的包络线具有以指定频率或以该指定频率的2倍以上倍数的频率且按规定的时间间隔周期性出现的峰值。高频电力的功率级设定成在除了峰值的每一个出现时刻紧前的包络线的零交叉区域与该出现时刻紧后的包络线的零交叉区域之间的期间以外的期间为零。
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