-
公开(公告)号：CN101416284B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200780012546.7
申请日：2007-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , B01J4/00 , B01J19/08 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/52
CPC classification number: F17D1/04 , C23C16/45502 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J2237/1825 , Y10T137/0368
Abstract: 本发明提供一种处理装置及处理方法，该处理装置(40)具有：在内部设有用于载置被处理体的载置台的处理容器(42)、具有用于排出处理容器(42)内的气体介质的真空泵(70、72)与压力控制阀(68)的排气系统(64)、具有设于处理容器(42)内的气体喷射孔(102)的气体喷射部件(98)，向气体喷射部件(98)供给处理气体的气体供给部件(100)。由控制部件(114)控制整个装置(40)。控制部件(114)控制排气系统(64)和气体供给部件(100)，在开始规定的处理时，由排气系统(64)排出处理容器(42)内的气体介质，并且在短时间供给比规定流量大的流量的处理气体，然后，供给规定流量的处理气体。
-
公开(公告)号：CN116487239A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310030992.1
申请日：2023-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够在构成等离子体处理装置所具有的处理容器的顶壁的顶板内抑制电磁波的传播。所述等离子体处理装置具有：处理容器；顶板，其构成所述处理容器的顶壁，所述顶板由第一电介体形成，在所述第一电介体具有开口；透过窗，其配置于所述开口，所述透过窗由介电常数比所述第一电介体的介电常数大的第二电介体形成；以及电磁波供给部，其构成为朝向所述透过窗供给电磁波。
-
公开(公告)号：CN100492600C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200480032469.8
申请日：2004-11-02
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
-
公开(公告)号：CN100440451C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200480040080.8
申请日：2004-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4411 , H01J37/32522 , H01L21/67069
Abstract: 在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器(2)的一部分而形成雾流路(5)。设置有用于发生雾的雾发生器(64)和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源(62)。利用温度传感器(49)检测出作为冷却对象的部位的温度。当检测温度高于规定温度时，在雾流路中例如流入水的雾，利用其汽化热来冷却处理容器。因此，能够快速降低处理容器的温度，在稳定的温度环境下进行等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN1759470A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006198.9
申请日：2004-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , G05D23/00
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/463 , H01L21/67109
Abstract: 设置第一通道(16)和与第一通道分离的第二通道(19)，且流经第二通道(19)的第二冷却水(18)和第一冷却水(15)进行热交换，其中所述第一通道(16)利用循环的第一冷却水(15)冷却温度调节对象。不需要将第一冷却水(15)储存在一定容量的容器中，且流经第一通道(16)中的冷却器相当部分的的第一冷却水(15)的几乎所有热量被第二冷却水(18)吸收。由此可对温度调节对象的负载变动迅速地进行响应，从而可在提高温度控制的精度的同时，减少能量浪费。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107546096A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710485227.3
申请日：2017-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够得到具有所希望的膜厚均匀性的膜的等离子体成膜装置和使用它的基板载置台。等离子体成膜装置包括：用于收纳基板的腔室；用于在腔室内载置基板的基板载置台；对腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；对腔室内进行排气的排气机构；和使腔室内生成等离子体的等离子体生成机构，基板载置台包括：比基板的直径小且具有载置面的载置台主体；配置在载置台主体的外侧的形成环状的调整部件，调整部件设置成可更换，并且作为调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件。
-
公开(公告)号：CN1902737A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480040080.8
申请日：2004-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4411 , H01J37/32522 , H01L21/67069
Abstract: 在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器(2)的一部分而形成雾流路(5)。设置有用于发生雾的雾发生器(64)和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源(62)。利用温度传感器(49)检测出作为冷却对象的部位的温度。当检测温度高于规定温度时，在雾流路中例如流入水的雾，利用其汽化热来冷却处理容器。因此，能够快速降低处理容器的温度，在稳定的温度环境下进行等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN1242480C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02807542.0
申请日：2002-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。
-
公开(公告)号：CN1500291A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02807542.0
申请日：2002-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。
-
公开(公告)号：CN107546096B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710485227.3
申请日：2017-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够得到具有所希望的膜厚均匀性的膜的等离子体成膜装置和使用它的基板载置台。等离子体成膜装置包括：用于收纳基板的腔室；用于在腔室内载置基板的基板载置台；对腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；对腔室内进行排气的排气机构；和使腔室内生成等离子体的等离子体生成机构，基板载置台包括：比基板的直径小且具有载置面的载置台主体；配置在载置台主体的外侧的形成环状的调整部件，调整部件设置成可更换，并且作为调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.021 seconds)
