等离子体处理装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1306566C

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN02807490.4

    申请日:2002-03-28

    摘要: 在微波等离子体处理装置中,通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状,从而,与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小,由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果,即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时,也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外,通过所述结构,还可以促进等离子体的点火。