公开(公告)号：CN112017936B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202010412317.1

申请日：2020-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦广行 ,  石桥清隆

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明的一个方式提供一种等离子体处理装置，其包括：圆筒体状的处理容器；沿着所述处理容器的长度方向相对配置的一对等离子体电极；和向所述一对等离子体电极供给高频电功率的高频电源，在所述等离子体电极中，离被供给所述高频电功率的供电位置较远的位置的电极间距离比所述供电位置的电极间距离长。根据本发明，可提供能够提高沿着处理容器的长度方向的电场强度的均匀性的技术。

公开(公告)号：CN102760632B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210125069.8

申请日：2012-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  石桥清隆 ,  森田治 ,  谷川雄洋 ,  松本直树 ,  三原直辉 ,  吉川弥

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。

公开(公告)号：CN101548364B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200880000772.8

申请日：2008-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  西塚哲也 ,  石桥清隆 ,  野沢俊久

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/461 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  Y10T428/24273

Abstract: 公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。

公开(公告)号：CN1799127B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200480014926.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  石桥清隆 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置。

公开(公告)号：CN101796615B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880106109.6

申请日：2008-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 石桥清隆 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  桶作正广

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  Y10T83/0481

Abstract: 公开的顶板设置在内部能够抽成真空的等离子体处理装置的处理容器的顶部的开口部处并被一体化，所述顶板包括：多个气体通路，沿顶板的平面方向形成；以及气体喷出孔，与多个气体通路连通并在顶板的面对处理容器内部的第一面上开口。

公开(公告)号：CN101002509B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200580024959.8

申请日：2005-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  北川淳一 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供了一种等离子处理单元，包括：处理容器，其顶部开口，并且其中能产生真空；平台，其设置在所述处理容器中，用于在其上设置将被处理的物体；上板，其由电介质制成，所述上板密封地装配在所述开口中，并允许微波从其中穿过；平面天线元件，其设置在所述上板上或上方，所述平面天线元件具有多个微波辐射孔，以向所述处理容器内部辐射用于等离子发生的微波；慢波元件，其设置在所述平面天线元件上或上方，用于缩短微波的波长；和微波干扰抑制部，其设置在所述上板的下表面上，所述微波干扰抑制部将所述下表面分成多个同心区域，并在所述区域间抑制微波干扰。

公开(公告)号：CN101533763A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910127016.8

申请日：2009-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供喷淋板的制造方法、喷淋板以及等离子体处理装置。该喷淋板的制造方法能够防止等离子体发生逆流，均匀稳定地供给等离子体激励用气体，使用时零件不会脱落。其中，形成具有沿气体流通方向连通的气孔的多孔质且为柱状的气体流通体(11)。利用不透气的材料形成以接触气体流通体(11)的侧面的方式进行覆盖的筒状的致密构件(12)。在致密构件(12)的空心部分嵌入气体流通体(11)从而形成多孔片体(13)，以第1温度进行烧成。在顶板(9)上形成凹部(10)，形成一端与凹部(10)连通、贯通顶板(9)的气体流路。在凹部(10)中嵌入多孔片体(13)，以与第1温度同等以下的温度进行一体烧成，形成喷淋板(3)。

公开(公告)号：CN101529563A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038770.3

申请日：2007-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久 ,  井口敦智 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。

公开(公告)号：CN101499411A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910001993.3

申请日：2009-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久 ,  西本伸也 ,  河本慎二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68728 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有基板的载置台，在载置台的上表面的多个部位，突出设置有用于定位基板周缘的定位销，并将定位销插入到形成于载置台上表面上的凹部中。可在定位销被卸下的状态下将载置台的上表面加工为平滑的形状。另外，在载置于载置台上表面上的基板的周缘附近只存在定位销，因此，可以防止基板周缘部温度发生下降。

公开(公告)号：CN104851771A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510086922.3

申请日：2015-02-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩尾俊彦 ,  平野高广 ,  石桥清隆 ,  川上聪

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/45536 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779

Abstract: 本发明可将基板上的每个位置通过等离子体区域的时间不均抑制得较低，并且可提高所产生的等离子体的均匀性。本发明所揭示的基板处理装置(10)包括：载置台(14)，能够以轴线(X)为中心旋转地设置；气体供给部，对通过载置台(14)的旋转而基板(W)依序通过的区域供给气体；及等离子体产生部(22)，产生所供给的气体的等离子体；且等离子体产生部(22)包括：天线(22a)，辐射微波；及同轴波导管(22b)，将微波供给至天线(22a)；且在构成从沿着轴线(X)的方向观察天线(22a)的情况下的截面形状的线段包含随着从轴线(X)离开而相互远离的2个线段，同轴波导管(22b)将微波从天线(22a)的重心供给至天线(22a)。