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公开(公告)号：CN102379030A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014856.4
申请日：2010-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J2237/2001 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供半导体制造装置及调温方法。与以往的调温方法相比，能够实现半导体晶圆的均匀的调温和高响应性。半导体制造装置包括在内部具有空洞(21)的晶圆载置台(2)、及为了将晶圆载置台(2)的温度调整为工艺温度而向空洞(21)的内壁喷射工艺温度以下的水的喷嘴(64a)，其中，该半导体制造装置包括：压力传感器(71)，其用于检测空洞(21)内的压力；真空泵，其用于排出空洞(21)内的气体，使得由压力传感器(71)检测出的压力为从喷嘴(64a)喷射的水的温度时的饱和蒸气压以上且工艺温度时的饱和蒸气压以下。
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公开(公告)号：CN108165954A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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公开(公告)号：CN107068917A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611160263.4
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供成膜方法以及成膜装置，对形成在玻璃基板G上的有机EL元件(106)进行密封的密封膜(105)的成膜方法，包括以下工序：将包含含有硅的气体和含有卤素的气体的混合气体、或者包含含有硅的气体和含有电负性比氮强的官能团的气体的混合气体供给至处理容器(1)内的工序；在处理容器(1)内生成混合气体的等离子体的工序；通过由等离子体活性化后的混合气体以覆盖有机EL元件(106)的方式，使密封膜(105)成膜的成膜工序。
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公开(公告)号：CN102376530A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110239893.1
申请日：2011-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供基板处理装置和温度调节方法。基板处理装置包括设置空间较少、能够简化装置结构的温度调节部件。其包括：对基板实施等离子体处理的腔室(11)、在腔室内用于载置基板的基座(12)、以隔着处理空间(S)与基座相对的方式设置的喷淋头(14)、对处理空间施加高频电而使等离子体产生的高频电源(15)、在作为温度调节面的基座的表面(12a)的背面(12b)上形成水的润湿面的喷水装置(16)、将水的润湿面从周围的气氛隔离的蒸发室(17)、对蒸发室内的压力进行调整的压力调整装置(18、19)，其中，利用压力调整装置对蒸发室内的压力进行调整而使形成润湿面的水蒸发，利用水的蒸发潜热对基座的表面的温度进行控制。
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公开(公告)号：CN100595887C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200680046966.2
申请日：2006-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , B05C11/08 , B05C15/00
CPC classification number: B05D1/005 , B05C11/06 , B05C11/08 , B05D3/0406 , B05D3/0486 , B05D2203/30 , B05D2203/35 , G03F7/162 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6715
Abstract: 本发明是一种涂覆设备，其包括：水平地固定衬底的衬底固定部件；将化学物质供应至被衬底固定部件水平固定的衬底的中心部分的化学物质喷嘴；使衬底固定部件旋转以便通过离心力使化学物质在衬底表面散开从而使化学物质涂敷在整个表面上的旋转机构；在被衬底固定部件水平固定的衬底表面上形成常压气体(atmospheric gas)的下降气流的气流形成单元；绕衬底排放大气的气体排放单元；以及将层流形成气体供应至衬底表面的气体喷嘴，该层流形成气体的运动粘度系数大于该常压气体；其中该常压气体或层流形成气体被供应至衬底的中心部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101601125A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780049914.5
申请日：2007-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32522 , H01J37/32541
Abstract: 本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异，并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置(1)具有设置于处理容器(11)上部的与载置台(2)相对置的第1电极(31)以及第2电极(32)、对第1电极(31)和第2电极(32)之间供给处理气体的气体供给部(4)、为了将第1电极(31)和第2电极(32)之间供给的处理气体等离子体化而对电极(31、32)之间施加高频电力的高频电源部(33)、以及自处理容器(11)下部对处理容器(11)内的气氛进行真空排气的排气装置(14)。载置台(2)上的基板B附近的等离子体的电子温度降低，能够抑制等离子体对基板B的损伤，另外由于能够使用金属作为处理容器(11)的材料，其温度控制性良好。
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公开(公告)号：CN112655071B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980058184.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。
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公开(公告)号：CN112655071A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058184.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。
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公开(公告)号：CN107068917B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201611160263.4
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供成膜方法以及成膜装置，对形成在玻璃基板G上的有机EL元件(106)进行密封的密封膜(105)的成膜方法，包括以下工序：将包含含有硅的气体和含有卤素的气体的混合气体、或者包含含有硅的气体和含有电负性比氮强的官能团的气体的混合气体供给至处理容器(1)内的工序；在处理容器(1)内生成混合气体的等离子体的工序；通过由等离子体活性化后的混合气体以覆盖有机EL元件(106)的方式，使密封膜(105)成膜的成膜工序。
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公开(公告)号：CN108165954B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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