公开(公告)号：CN110809817B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201880042529.6

申请日：2018-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水昭贵 ,  宇田秀一郎 ,  斋藤刚 ,  加藤大辉

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 选择性地蚀刻氮化硅膜的方法具有以下的工序：第一工序，将具有氮化硅膜的被处理基板配置在处理空间中；第二工序，向处理空间导入包含H和F的气体；以及第三工序，选择性地向处理空间导入非活性气体的自由基。

公开(公告)号：CN107068917B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201611160263.4

申请日：2016-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山田一希 ,  加藤大辉 ,  大内健次 ,  松崎和爱

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明提供成膜方法以及成膜装置，对形成在玻璃基板G上的有机EL元件(106)进行密封的密封膜(105)的成膜方法，包括以下工序：将包含含有硅的气体和含有卤素的气体的混合气体、或者包含含有硅的气体和含有电负性比氮强的官能团的气体的混合气体供给至处理容器(1)内的工序；在处理容器(1)内生成混合气体的等离子体的工序；通过由等离子体活性化后的混合气体以覆盖有机EL元件(106)的方式，使密封膜(105)成膜的成膜工序。

公开(公告)号：CN107068917A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611160263.4

申请日：2016-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山田一希 ,  加藤大辉 ,  大内健次 ,  松崎和爱

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明提供成膜方法以及成膜装置，对形成在玻璃基板G上的有机EL元件(106)进行密封的密封膜(105)的成膜方法，包括以下工序：将包含含有硅的气体和含有卤素的气体的混合气体、或者包含含有硅的气体和含有电负性比氮强的官能团的气体的混合气体供给至处理容器(1)内的工序；在处理容器(1)内生成混合气体的等离子体的工序；通过由等离子体活性化后的混合气体以覆盖有机EL元件(106)的方式，使密封膜(105)成膜的成膜工序。

公开(公告)号：CN110809817A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201880042529.6

申请日：2018-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水昭贵 ,  宇田秀一郎 ,  斋藤刚 ,  加藤大辉

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 选择性地蚀刻氮化硅膜的方法具有以下的工序：第一工序，将具有氮化硅膜的被处理基板配置在处理空间中；第二工序，向处理空间导入包含H和F的气体；以及第三工序，选择性地向处理空间导入非活性气体的自由基。